Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 20 стр.

UptoLike

Составители: 

20
,
),(
),(
max
i
i
Tiiii
S
qrlP
qrRP
λ
γ
γθ
== (3.26)
где R
Timax
максимальное тепловое сопротивление iго элемента;
λ - теплопроводность подложки;
S
i
площадь iго элемента;
k
hk
n
hl
λ
λ
+= - эквивалентная толщина подложки (при
λ
λ
k
=0.1-1.0 и
n
k
h
h
=0.1-0.3);
λ
к
теплопроводность клея, закрепляющего плату в корпусе
(λ
к
0.3Вт/м.К);
h
n
, h
k
толщина платы и слоя клея, соответственно (h
k
0,1 мм);
γ(r,q) – функция, зависящая от относительных размеров элемента
l
q
l 2
;
2
21
=
=
γ
;
1
,
2
размеры iго элемента;
График функции γ(r,q) показан на рис. 3.8. (функция симметрична
относительно γ и q ).
Фоновый перегрев, обусловленный тепловыми потоками соседних
элементов (компонентов), определяется выражением
+++= |)|,()(|)||,(|)()(),([
4
212222211
qrqsignqrsignqsignqr
S
lP
i
i
ji
γγγγ
λ
θ
+
|)]|,()(
212
rqrsign
γ
; (3.27)
где
||
2
0
1
1
l
x
l
q +
= ,
||
2
0
1
2
l
x
l
q
= ;
||
2
0
2
1
l
y
l
r +
= ,
||
2
0
2
2
l
y
l
r
= ;
1
,
2
размеры jго элемента (источника тепла);
x
0
, y
0
координаты iго элемента (приемника тепла) относительно
центра jго элемента (координаты определяются до ближайшей к центру j-
го элемента точки iго элемента );
sign
a= +1 при а>0;
sign
a= -1 при а<0;
sign
a= 0 при a = 0.
Значения функций в формуле (3.27) определяются из рис. 3.8.