Составители:
Однако у отечественных поставщиков этот тип памяти не получил
широкого распространения, так как на смену асинхронной памяти пришла
синхронная – SDRAM.
2.3.2. Синхронная динамическая память SDRAM
Синхронная динамическая память обеспечивает большее
быстродействие, чем асинхронная, при использовании аналогичных
элементов памяти. Это позволяет реализовать пакетный цикл типа 5-1-1-1
при частоте системной шины 100 МГц и выше.
Основные
сигналы интерфейса SDRAM схожи с сигналами интерфейса
асинхронной памяти. Главные их отличия сводятся к появлению ряда новых
сигналов:
1. У памяти SDRAM присутствует синхросигнал CLK, по переднему
фронту которого производятся все переключения в микросхеме. Кроме этого
сигнала имеется также сигнал CKE (Clock Enable), разрешающий работу
микросхемы при высоком уровне, а при низком – переводящий ее
в один из
режимов энергосбережения.
2. В интерфейсе SDRAM имеются сигналы выбора банка BS0 и BS1
(Bank Select), позволяющие адресовать конкретные обращения в один из
четырех имеющихся в микросхемах SDRAM банков (массивов элементов)
памяти.
3. Присутствуют сигналы DQM маски линий данных, позволяющие
блокировать запись данных в цикле записи или переключать шину данных в
состояние
высокого выходного сопротивления (z-состояние) при чтении.
4. Имеет место специфическое использование одной из адресных
линий (A
10
) в момент подачи сигнала CAS#. Значение сигнала на этой линии
задает способ подзаряда строки банка.
Кроме того, SDRAM память сразу ориентирована на выполнение
пакетных передач данных, причем длина пакета задается при инициализации
микросхем памяти.
45
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »
