Технология изготовления полупроводниковых электронных схем. Королев А.П - 10 стр.

UptoLike

10
Лабораторная работа 3
ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ
Цель работы: ознакомиться с методами химического травления
полупроводниковых и плёночных структур, научится подбирать рас-
творители для различных материалов и определить время травления.
Теоретические сведения
Механизм растворения определяется химической природой твёр-
дого тела и растворителя. Растворители имеют неорганическую (ки-
слоты, щёлочи, соли) или органическую (углеводороды, спирты и др.)
природу. Они отличаются по химическому составу и концентрации.
В зависимости от этих факторов и температуры определяется скорость
растворения обрабатываемой поверхности.
Существует три класса растворов: электролиты, неэлектролиты и
металлические расплавы. Электролиты водные растворы солей, ки-
слот, щёлочей и расплавы солей. Неэлектролиты большинство угле-
водородов и их производные.
В теории растворов неэлектролитов получены несколько фунда-
ментальных соотношений, определяющих закон растворения в жидко-
стях (закон Генри, Рауля, КлапейронаКлаузиуса и др.).
По закону Генри парциальное давление насыщенного пара ком-
понента раствора p
1
пропорционально его мольной доле С
1
в растворе:
11
Ckp =
, (3.1)
где kкоэффициент пропорциональности (константа Генри).
При равновесии раствора с кристаллами растворителя
0
тт11
рр =
получаем соотношение, называемое уравнение ШредерЛе Шателье:
=
пл
пл
1
11
R
ln
TT
Q
C
,
(3.2)
где Q
пл
теплота плавления; R универсальная газовая постоянная;
Т температура перехода из одной фазы в другую; Т
пл
температура
плавления.
Для бесконечно разбавленных двух компонентных растворов
можно записать