ВУЗ:
Составители:
9
0,1
0,2
0,3
x
, мкм
R
p
X
σ
1
σ
2
f
(x)
10
17
10
18
10
20
10
19
10
21
C
As
,
см
–
2
а) б)
0
Рис. 2.1. Сравнение моделей ионного легирования мышьяка
с энергией 150 кэВ, дозой 3...10
15
см
–2
через маску SiO
2
толщиной 50 нм (а);
распределение типа «сдвоенная гауссиана» (б):
– эксперимент; – распределение Пирсона; ---- – распределение Гаусса
Порядок выполнения работы
1. Для различных (по заданию преподавателя) доз имплантиро-
ванной примеси рассчитать профили распределения различной приме-
си (фосфора, мышьяка, сурьмы).
2. Построить зависимость
(
)
xfC =
на миллиметровой бумаге
или в математическом редакторе.
Содержание отчёта
Графическое изображение профилей легирования полупроводни-
ка различными примесями.
Контрольные вопросы
1. Цель ионного легирования.
2. Преимущества ионного легирования над термической диффу-
зией.
3. Какими параметрами процесса легирования можно управлять и
как изменение этих параметров может влиять на свойства легирован-
ных слоёв?
4. Какие внедренные ионы являются электрически активными, а
какие нет?
5. Какие дефекты кристаллической структуры могут появляться
при ионном легировании и методы их устранения?
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
