Технология изготовления полупроводниковых электронных схем. Королев А.П - 13 стр.

UptoLike

13
где N
A
число Авогадро; ρ плотность металла; M молярная масса;
k постоянная Больцмана; Θ
D
характеристическая дебаевская темпе-
ратура; hпостоянная Планка.
В технологии производства ЭС обработка поверхности твёрдых
тел растворами используются для вытравливания заданного профиля
или конфигурации.
Травление делится на полирующее и селективное. Полирующее
используется для полировки поверхности и вытравливания различных
рисунков. Селективное для вытравливания заданной конфигурации в
слоях твёрдого тела. При полирующем травлении скорость травления
не зависит от энергии активации, при селективном зависит. За счёт
различия в энергиях активации удаётся растворить отдельные мате-
риалы, не затрагивая других. Скорость травления определяется из со-
отношения
β+β
β
=
RT
E
CCKC
RT
E
CCK
j
a
xSRmSm
a
xSRm
exp
exp
эф
, (3.14)
при
β>>β
RT
E
CCKC
a
xSRmSm
exp
скорость зависит от энергии ак-
тивациитравление будет селективным.
При
β<<β
RT
E
CCKC
a
xSRmSm
exp
скорость не зависит от
энергии активации (полирующее травление).
Порядок выполнения
1. По заданию приготовить реактивы и материалы для травления.
Получить стеклянную подложку с нанесённой на неё медной пленкой.
Приготовить раствор соляной кислоты с концентрацией C
=
1 моль/л.
2. Острым металическим предметом очистить небольшой участок
(1
×
5 мм) от плёнки. Поместить подложку на предметный столик ин-
терферометра МИИ-4, в окуляр найти границу между участком очищен-
ным от пленки и с плёнкой. Сориентировать границу перпендикулярно
интерференционным линиям и измерить сдвиг интерференционной ли-
нии а и расстояние между соседними линиями b. Затем по формуле
b
a
h 26,0=
рассчитать толщину пленки h.