Составители:
Рубрика:
112
2
1
1
)(
)(
)(
=
+
+
−
+
xE
xE
xR
n
n
(2.10)
и
пропускание
:
.
)(
)(
)(
2
1
0
1
0
=
+
+
+
+
xE
xE
n
n
xT
n
n
(2.11)
Из
(2.11)
получаем
выражения
для
расчета
зависимости
пропускания
и
отражения
растущей
пленки
на
прозрачной
подложке
2
0,0
0
)(
1
)(
xF
nxT
C
=
(2.12)
и
,
)(
)(
)(
2
0,0
0,1
xF
xF
xR
C
=
(2.13)
где
.
1
1
)()(
0
0
1
1
0
=
∏∏
=
−
=
R
R
xMtxF
nm
m
n
m
m
(2.14)
Следует
отметить
,
что
подобный
подход
дает
хорошо
воспроизводимые
результаты
только
в
случае
сохранения
оптических
свойств
осаждаемых
слоев
от
напыления
к
напылению
.
Системой
фотометрического
контроля
толщины
слоев
СФКТ
-751
В
комплектуются
вакуумные
установки
ВУ
-1
А
и
ВУ
-2
М
(
рис
. 2.22).
Система
СФКТ
-751
В
состоит
из
осветителя
и
оптических
элементов
,
обеспечивающих
формирование
светового
пучка
:
монохроматора
,
работающего
в
диапазоне
(0,22—0.8)
мкм
,
возможностью
замены
дифракционной
решетки
для
работы
в
других
спектральных
диапазонах
,
а
также
приемного
и
регистрирующего
блоков
.
Контроль
толщин
выполняется
по
спектральным
коэффициентам
пропускания
(
отражения
)
центрального
(
контрольного
)
или
боковых
(
рабочих
)
образцов
,
отстоящих
от
центра
на
расстоянии
(60—150)
мм
.
В
оптическую
схему
(
рис
. 2.22.
а
)
комплекса
при
контроле
по
пропусканию
входят
оптические
схемы
верхнего
и
нижнего
блоков
пропускания
,
элементы
вакуумной
установки
и
схема
монохроматора
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 110
- 111
- 112
- 113
- 114
- …
- следующая ›
- последняя »
