Составители:
Рубрика:
45
1 2
0 1 2
0
1 2
1 r r
1
2 r r
k
2
−
δλ
= ⋅
λ ∂ρ ∂ρ
λ
π
+ +
π ∂λ ∂λ
.
Видно, что по мере увеличения коэффициентов отражения составляющих
светофильтр зеркал полуширина интерференционного светофильтра,
построенного по схеме интерферометра Фабри - Перо уменьшается. Если
1 2
r r
=
выражение становится ещё более простым, и мы получим
2
0
0 1 2
1 r
1
2 r
k
2
−
δλ
= ⋅
λ
λ ∂ρ ∂ρ
π
+ +
π ∂λ ∂λ
. (1.53)
Проведём
анализ
параметров
,
характеризующих
светофильтры
,
построенные
по
схеме
интерферометра
Фабри
–
Перо
.
Как
видно
из
вышеприведенных
выражений
,
максимальное
пропускание
достигается
при
равенстве
амплитудных
коэффициентов
отражения
составляющих
его
зеркал
.
При
этом
контрастность
увеличивается
,
а
полуширина
уменьшается
по
мере
увеличения
амплитудных
коэффициентов
отражения
.
Полуширина
так
же
уменьшается
по
мере
увеличения
толщины
разделительного
промежутка
и
дисперсии
разности
фаз
между
падающим
и
отражённым
излучением
∂ρ ∂λ
в
окрестностях
длины
волны
,
соответствующей
максимальному
пропусканию
.
Для
четвертьволновых
зеркал
амплитудный
коэффициент
отражения
определяется
числом
слоёв
,
для
слоёв
металлов
он
определяется
величинами
n
и
k
и
их
дисперсией
.
Максимально
возможная
толщина
разделительного
слоя
(
слой
диэлектрика
)
определяется
условием
осаждения
и
не
может
превышать
двух
микрон
.
Это
обстоятельство
,
а
также
ограничение
на
величину
r
,
связанное
с
потерями
света
в
слоях
,
накладывает
естественное
ограничение
на
полуширину
светофильтра
.
Максимальное
светопропускание
светофильтра
ограничивается
потерями
света
(
поглощение
,
рассеивание
)
в
слоях
.
Потери
света
в
слоях
составляют
величину
порядка
(1-20)%.
Однако
,
как
всегда
в
природе
,
если
напрямую
не
получается
,
надо
искать
какой
-
то
обходной
путь
,
чтобы
решить
проблему
.
Решить
её
можно
достаточно
просто
,
основываясь
на
тех
структурных
построениях
,
которые
были
сделаны
выше
,
когда
рассматривались
зеркальные
и
фильтрующие
диэлектрические
системы
.
Действительно
,
для
того
чтобы
система
работала
как
интерференционный
светофильтр
,
необходимо
,
чтобы
эта
система
(
система
с
максимальным
пропусканием
),
могла
быть
описана
единичной
матрицей
.
В
-
слой
с
высоким
показателем
преломления
,
и
матрица
,
соответственно
,
обозначается
так
же
.
Н
-
слой
с
низким
показателем
преломления
и
соответствующая
ему
матрица
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »
