Составители:
Рубрика:
78
эффективного
удаления
загрязнений
,
при
большом
смещении
возможен
захват
поверхностью
слоя
инертных
и
активных
газов
,
рекристаллизация
слоя
,
появление
дефектов
и
т
.
д
.
Схема
магнетронной
распылительной
системы
приведена
на
рисунке
2.1.
При
высокочастотном
распылении
скорость
роста
слоя
достигает
(0,17-3,4)
нм
/
с
и
зависит
от
природы
материала
мишени
,
частоты
(
частота
(10-20)
МГц
обеспечивает
наивысшую
скорость
распыления
),
напряжения
,
тока
и
напряженности
внешнего
магнитного
поля
.
Технологические
скорости
роста
слоя
снижаются
за
счет
нагрева
подложек
,
вызываемого
потоком
электронов
(
при
мощности
3
кВт
температура
подложки
может
быть
повышена
до
600°
С
).
Рис
.2.1.
Схема
магнетронной
системы
ионного
распыления
с
плоским
катодом
:
1
–
изолятор
;
2
–
магнитопровод
;
3
–
система
водоохлаждения
; 4 –
корпус
катодного
узла
; 5 –
постоянный
магнит
;
6
–
стенка
вакуумной
камеры
;
7
–
силовые
линии
магнитного
поля
;
8
–
кольцевой
водоохлаждаемый
анод
;
9
–
зона
эрозии
распыляемого
катода
В
высокочастотной
установке
типа
А
-550VZK (
фирмы
«
Лейбольд
—
Хереус
»,
ФРГ
)
технологическая
скорость
составляет
(0,03-0,1)
нм
/
с
.
В
триодных
распылительных
установках
«
Спутрон
» (
фирмы
«
Бальцерс
»,
Лихтенштейн
)
и
УРМЗ
-279-013 (
СССР
)
обеспечивается
большая
гибкость
управления
процессом
распыления
за
счет
разделения
функций
катода
и
мишени
.
Катод
является
источником
электронов
,
которые
поддерживают
разряд
инертного
газа
,
а
мишень
располагается
параллельно
плазменному
шнуру
(
ось
мишени
делит
расстояние
анод
-
катод
в
отношении
1:2).
При
большом
отрицательном
потенциале
на
мишени
из
плазмы
вытягиваются
положительные
ионы
,
которые
,
бомбардируя
мишень
,
вызывают
ее
распыление
.
Распыленные
атомы
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 76
- 77
- 78
- 79
- 80
- …
- следующая ›
- последняя »
