ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Лабораторная работа 12.
Транзистор
В настоящей работе снимаются характеристики транзистора, вычисляются его
параметры. В заключение наблюдается усиление переменного сигнала усилителем на
транзисторе.
Физические процессы в транзисторе. Рассмотрим биполярный транзистор, т.е.
полупроводниковый прибор с двумя p-n – переходами, для работы которого существенно
участие в создании тока носителей заряда обоих знаков.
Устройство транзистора показано на рис. 1. Он представляет собой пластинку
германия или другого полупроводника, в которой созданы три области с различной
электропроводностью. Транзистор типа n-p-n имеет среднюю область с дырочной
электропроводностью, а две крайние области – с электронной электропроводностью.
Средняя область называется базой, одна крайняя область – эмиттером, другая –
коллектором. Расстояние между p-n переходами должно быть очень малым, не более
единиц микрон, т.е. область базы должна быть очень тонкой.
Рассмотрим, что будет происходить в транзисторе при подключении к нему
внешних напряжений. Обычно к эмиттерному переходу подключают напряжение,
являющееся прямым для основных носителей заряда областей, прилегающих к этому
переходу, а к коллекторному переходу – обратное напряжение (рис. 2). При таком
включении транзистора ток между эмиттером и базой ί
э
будет в основном состоять из
электронов, движущихся из эмиттера в базу. Дырки из базы в эмиттер проникаю также
легко – для них эмиттерный переход также включен в прямом направлении. Но
концентрацию дырок в базе делают значительно меньше концентрации свободных
электронов в области эмиттера. Поэтому током дырок из базы в область эмиттера можно
пренебречь.
Часть электронов, проходя через базовую область, рекомбинирует там с дырками,
однако большая их часть диффундирует сквозь узкую базовую область и попадает в поле
коллекторного перехода, который для них открыт. Таким образом, ток коллектора
практически равен току эмиттера, отличаясь от него на небольшую долю вследствие
рекомбинации части электронов в базовой области.
3
3
Лабораторная работа 12.
Транзистор
В настоящей работе снимаются характеристики транзистора, вычисляются его
параметры. В заключение наблюдается усиление переменного сигнала усилителем на
транзисторе.
Физические процессы в транзисторе. Рассмотрим биполярный транзистор, т.е.
полупроводниковый прибор с двумя p-n – переходами, для работы которого существенно
участие в создании тока носителей заряда обоих знаков.
Устройство транзистора показано на рис. 1. Он представляет собой пластинку
германия или другого полупроводника, в которой созданы три области с различной
электропроводностью. Транзистор типа n-p-n имеет среднюю область с дырочной
электропроводностью, а две крайние области – с электронной электропроводностью.
Средняя область называется базой, одна крайняя область – эмиттером, другая –
коллектором. Расстояние между p-n переходами должно быть очень малым, не более
единиц микрон, т.е. область базы должна быть очень тонкой.
Рассмотрим, что будет происходить в транзисторе при подключении к нему
внешних напряжений. Обычно к эмиттерному переходу подключают напряжение,
являющееся прямым для основных носителей заряда областей, прилегающих к этому
переходу, а к коллекторному переходу – обратное напряжение (рис. 2). При таком
включении транзистора ток между эмиттером и базой ίэ будет в основном состоять из
электронов, движущихся из эмиттера в базу. Дырки из базы в эмиттер проникаю также
легко – для них эмиттерный переход также включен в прямом направлении. Но
концентрацию дырок в базе делают значительно меньше концентрации свободных
электронов в области эмиттера. Поэтому током дырок из базы в область эмиттера можно
пренебречь.
Часть электронов, проходя через базовую область, рекомбинирует там с дырками,
однако большая их часть диффундирует сквозь узкую базовую область и попадает в поле
коллекторного перехода, который для них открыт. Таким образом, ток коллектора
практически равен току эмиттера, отличаясь от него на небольшую долю вследствие
рекомбинации части электронов в базовой области.
