Транзистор. Козлов В.И. - 4 стр.

                                              5




необходимо усилить, подается на участок база – эмиттер. На базу подается также
напряжение смещения Uбэ. При этом в цепи базы протекает некоторый ток, т.е. входное
сопротивление транзистора получается сравнительно небольшим. Цепь коллектора
(выходная цепь) питается от источника Uкэ. Для получения усиленного выходного
напряжения в эту цепь включен резистор нагрузки R.
      Статические характеристики снимаются на постоянном токе.
      В качестве входных характеристик для описанной схемы можно рассматривать
зависимость

                             ίб(Uбэ) при Uкэ = const                           (3)

      а выходных – зависимость

                                      ίк(Uкэ) при ίб = const.                   (4)

      Семейства указанных характеристик изображены на рис.5.




      Входные и выходные характеристики транзистора имеют тесную связь с
вольтамперной характеристикой полупроводникового диода. Действительно, входные
характеристики относятся к эмиттерному переходу, который работает при прямом
напряжении. Поэтому они подобны характеристике прямого тока диода. Выходные
характеристики подобны характеристике обратного тока диода, так как отображают
свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении (для основных
носителей заряда).


      Параметры транзистора. По входным характеристикам можно определить
входное сопротивление транзистора:

                                     ∆ U бэ
                             Rвх =                           ,
                                      ∆ iб    U кэ = const
                                                                                (5)