Транзистор. Козлов В.И. - 3 стр.

                                              4
      Так как часть дырок в базе рекомбинирует с электронами, пришедшими из
эмиттера, то для их восполнения в базе образуются новые дырки (вследствие ухода
лишних электронов из базы во внешнюю цепь). Таким образом, ток базы можно считать
состоящим из дырок, как бы приходящих из внешней цепи.
      Назначением эмиттера является инжекция (впуск, впрыскивание, но не эмиссия в
обычном понимании этого термина) носителей заряда в базу. База – это область, в которую
инжектируются эмиттером неосновные для нее носители заряда. Коллектор – область,
назначением которой является экстракция (прием, поглощение) носителей заряда из базы.
      Между рассмотренными токами в соответствии с законом Кирхгофа выполняется
соотношение

                                   ίэ = ίк + ίб.                                    (1)


      Аналогичное соотношение выполняется и для приращений токов:

                                ∆ίэ = ∆ίк + ∆ίб.                                    (2)


      Работу транзистора иллюстрирует потенциальная диаграмма (рис. 3).




       Потенциал эмиттера принят за нулевой. В эмиттерном переходе, хотя он и включен
в прямом направлении для электронов (основных носителей заряда в эмиттерной области),
все-таки есть небольшой потенциальный барьер. Высотой этого барьера можно управлять,
меняя напряжение между базой и эмиттером. Поле в области коллектора для электронов
является ускоряющим.

      Характеристики транзистора. Зависимость между токами, действующими в
транзисторе, имеет сложный характер. Ее удобно описывать графически в виде
характеристик.
      Существуют три основных схемы включения транзистора в усилителях. Они
различаются тем, какой из трех электродов является общим для входной и выходной цепи.
Рассмотрим схему с общим эмиттером (рис. 4). Входное напряжение Uсигн, которое