Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 25 стр.

      2. Скорость роста пленки (количество атомов металла, попадающих
в единицу времени на 1 см2 подложки) в случае точечного источника
обратно пропорциональна квадрату расстояния от источника до подложки.
      Скорость испарения, т.е. количество материала, испаряемого в 1с с
1 см2 испарителя, может быть определена по следующей формуле:
                         M                M
      ω = 0,0585 ⋅ P ⋅     = 6 ⋅ 10 − 4 ⋅
                         T                T
где ω - скорость испарения г·см-2·с-1;
Р - давление насыщенного пара;
М - молекулярный вес;
Т - абсолютная температура, К.
      Если на пути движения молекулярного потока испаренного вещества
поместить подложку, то на ее поверхности образуется тонкая пленка
сконденсированного вещества. Для большинства металлов конденсация их
паров при комнатной температуре не сопровождается отражением атомов
от подложки. Однако для некоторых металлов наблюдается полное или
частичное отражение атомов от поверхности конденсатора. При выборе
режимов испарения, а также при вычислении толщины слоя по количеству
испаренного вещества большое значение приобретает вопрос о том,
сколько атомов остается на подложке не отразившись. Если через V
обозначить число молекул, ударившихся в единицу времени о поверхность
конденсатора, то скорость конденсации молекул υ = Vα, где α-
коэффициент аккомодации, представляющий собой отношение числа
молекул, фактически сконденсировавшихся на подложке, к числу молекул,
ударяющихся о подложку в одно и то же время.
      Конденсация атомного пучка на стеклянной поверхности зависит от
температуры. При температуре выше критической атомы испаренного
металла полностью отражаются от конденсатора. Критическая температура
зависит от природы конденсируемого вещества, природы подложки,

                                         25