Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 26 стр.

степени ее очистки и от плотности падающего атомного пучка.
Критическая температура возрастает с увеличением интенсивности
падающего пучка. Поэтому, кроме понятия критической температуры,
существует понятие критической плотности потока.
     Критической плотностью атомного пучка (потока) при данной
температуре называется такая плотность, ниже которой конденсированная
пленка не может быть образована. Значение критической плотности
является функцией температуры подложки и широко меняется для
различных металлов. Теоретически эта зависимость определена Френкелем
и имеет следующий вид:
     Vкр = А·е-U/kt,
     где Vкр - критическая плотность пучка;
     Т - температура подложки;
     U - энергия связи атома с подложкой;
     А - постоянная величина, зависящая от рода испаряемого вещества.
     Распределение конденсата по поверхности подложки зависит от
формы испарителя, а также от расположения испарителя относительно
подложки. В зависимости от формы испарителя испарение может
происходить или равномерно во всех направлениях, или в каком-то
определенном направлении.
     С этой точки зрения испарители могут быть классифицированы
следующим образом:
     1. Точечные испарители. Их излучающая поверхность невелика по
сравнению с расстоянием до подложки. Испарение происходит равномерно
во всех направлениях.
     2.     Направленные   испарители.   Например,   небольшая   плоская
излучающая поверхность. Испарение в этом случае происходит по закону
косинуса.
     3. Проволочные испарители. Излучающая поверхность представляет

                                   26