Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 27 стр.

собой цилиндр с малым, по сравнению с другими размерами, диаметром.
Если распыление производится из точечного или небольшого плоского
направленного     испарителя,    и    подложка     расположена    параллельно
испарителю, то толщина пленки на подложке может быть определена по
формуле:
                                       m 1
                                 ∆=      ⋅ ,
                                      4πγ h 2
где Δ – толщина пленки;
   m – скорость испарения;
   γ – удельный вес;
   h – расстояние от испарителя до подложки.
     Испарение вещества в вакууме может производиться несколькими
способами. Для испарения легкоплавких веществ чаще всего используются
тигли, нагревание которых может осуществляться токами высокой
частоты, при помощи вольфрамовой спирали, путем пропускания тока
через материал тигля и т.д. Для испарения тугоплавких металлов
применяется       проволока,         покрытая       испаряемым        металлом
электролитически и нагреваемая электрическим током. Для большинства
металлов весьма простым и удобным способом является испарение из
спиралей и лодочек. В этом случае навеска распыляемого материала
помещается внутри спирали или лодочки. В качестве материалов
нагревателя используются W, Mo, Pt.


                       Порядок выполнения работы
     I. Подготовка подложек
     Адгезия тонкой пленки к подложке определяется чистотой ее
поверхности. Поэтому перед помещением в вакуумную систему подложка
должна     быть   тщательно      очищена      от    возможных     загрязнений.
Предварительная     очистка     поверхности      стекла,   металла,   керамики

                                       27