ВУЗ:
Составители:
38
В некотором диапазоне энергий зависимостью λ от энергии можно
пренебречь, и коэффициент распыления будет пропорционален энергии
ионов. Однако при увеличении энергии длина свободного пробега
увеличивается, и S достигает максимального значения, причем положение
максимума сильно зависит от массы ионов и соответствует диапазону от
10
3
эВ для легких ионов водорода или гелия до 10
5
эВ для тяжелых ионов.
При дальнейшем повышении энергии S начинает уменьшаться в связи с
резким увеличением длины свободного пробега, т.е. переходом из области
катодного распыления в область ионной имплантации. Энергетический
спектр атомарного потока при катодном распылении определяется
условиями проведения процесса. Основная масса распыленных атомов
имеет энергию от нескольких единиц до нескольких десятков эВ. Процесс
переноса вещества при катодном распылении в отличие от вакуумно-
термического испарения уже не является кинетическим, т.к. рабочее
давление в камере составляет обычно от 10
-1
– 10
-2
торр, а длина
свободного пробега частиц падает соответственно до 0,05–5 см и
становится соизмеримой с расстоянием источник–подложка. При этом
механизм переноса является диффузионно-кинетическим или даже
диффузионным, когда скорость процесса зависит от концентрации частиц
и их коэффициента диффузии в газовой фазе.
Простейшей системой катодного распыления является диодная
система, в которой тлеющий разряд поддерживается за счет ионно-
электронной эмиссии. Основным преимуществом этой системы является
простота и возможность создания равномерной плотности плазмы в
большом объеме прикатодного пространства, что позволяет получить
равномерные покрытия на большой площади.
Недостатком метода является узкий диапазон рабочих давлений,
определяемых условием возникновения и поддержания тлеющего разряда.
Чистота катодно осажденных пленок тем выше, чем ниже парциальное
В некотором диапазоне энергий зависимостью λ от энергии можно
пренебречь, и коэффициент распыления будет пропорционален энергии
ионов. Однако при увеличении энергии длина свободного пробега
увеличивается, и S достигает максимального значения, причем положение
максимума сильно зависит от массы ионов и соответствует диапазону от
103 эВ для легких ионов водорода или гелия до 105 эВ для тяжелых ионов.
При дальнейшем повышении энергии S начинает уменьшаться в связи с
резким увеличением длины свободного пробега, т.е. переходом из области
катодного распыления в область ионной имплантации. Энергетический
спектр атомарного потока при катодном распылении определяется
условиями проведения процесса. Основная масса распыленных атомов
имеет энергию от нескольких единиц до нескольких десятков эВ. Процесс
переноса вещества при катодном распылении в отличие от вакуумно-
термического испарения уже не является кинетическим, т.к. рабочее
давление в камере составляет обычно от 10-1 – 10-2 торр, а длина
свободного пробега частиц падает соответственно до 0,05–5 см и
становится соизмеримой с расстоянием источник–подложка. При этом
механизм переноса является диффузионно-кинетическим или даже
диффузионным, когда скорость процесса зависит от концентрации частиц
и их коэффициента диффузии в газовой фазе.
Простейшей системой катодного распыления является диодная
система, в которой тлеющий разряд поддерживается за счет ионно-
электронной эмиссии. Основным преимуществом этой системы является
простота и возможность создания равномерной плотности плазмы в
большом объеме прикатодного пространства, что позволяет получить
равномерные покрытия на большой площади.
Недостатком метода является узкий диапазон рабочих давлений,
определяемых условием возникновения и поддержания тлеющего разряда.
Чистота катодно осажденных пленок тем выше, чем ниже парциальное
38
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
