Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 40 стр.

           Рис.10. Схема трехэлектродной системы распыления


достигают мишени с энергией, приобретенной ими в электрическом поле
на последней длине свободного пробега λ перед нею, т.е. с энергией,
пропорциональной λЕ, где Е-напряженность поля у мишени. Эта энергия
может быть существенно ниже Uм.
     При давлении 10-3 торр средняя длина свободного пробега равна,
например, 50 мм. Поэтому лишь небольшое число распыленных атомов
претерпевают столкновения с молекулами и ионами газа в пространстве
мишень-подложка. Это приводит к высокой скорости осаждения пленок и
заметному уменьшению загрязнения пленки остаточными газами.
     Скорость распыления регулируется изменением тока эмиссии
термокатода, давлением и напряжением на мишени. При постоянной
плотности плазмы скорость распыления регулируется только напряжением
на мишени и может изменяться в широких пределах. С одной стороны, это
обеспечивает широкий диапазон варьирования скоростей напыления, а с
другой - может обусловить невоспроизводимость процесса образования
пленок. В связи с этим целесообразным является такой режим работы
системы распыления, когда регулирование скорости осуществляется
одним параметром.

                                  40