Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 39 стр.

давление активных газов в камере распыления и чем выше скорость
осаждения. Скорость формирования пленки находится в зависимости от
давления в камере Р, плотности тока на мишень jм и ускоряющего
потенциала Uм.
     Поэтому для достижения больших скоростей осаждения необходимо
снизить давление в камере с тем, чтобы свободный пробег атомарных
частиц был больше расстояния мишень-подложка и повысить плотность
ионного тока на распыляемую мишень для увеличения плотности
атомарного потока. Эти условия можно выполнить в том случае, когда
горение разряда будет поддерживаться дополнительным источником
электронов.
     Триодная система или система ионно-плазменного распыления
состоит из трех независимо управляемых электродов (рис.10): источника
электронов (1), анода (2) и мишени (3). В качестве источника электронов
используется вольфрамовый термокатод. Мишенью служит распыляемый
материал. Между катодом и анодом прикладывается напряжение (100-
200 В). Затем в рабочую камеру напускается рабочий газ до давления 10-3
торр и возбуждается разряд.
     Пока мишень находится под потенциалом плазмы, направленной
бомбардировки       ее   поверхности    не   происходит.     Тем   не   менее,
возникающие в разряде ионы с низкой энергией при своем хаотическом
движении могут бомбардировать и мишень, и подложку. При этом
удаляются     загрязнения,   которые    остались    после    предварительной
химической обработки. Когда на мишень подается отрицательный
потенциал     (до   4000   В),   положительные     ионы     бомбардируют    ее
поверхность с энергией, достаточной для распыления. Ионы легко теряют
свою кинетическую энергию при соударениях с атомами газа, так как
массы сталкивающихся частиц практически равны. Поэтому ионы



                                       39