Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 48 стр.

      Далее проделать указания пунктов с 8-го по 19-й.
                           Выключение установки
      После пункта 19 выполнить следующее:
24. Поставить колпак на систему.
25. Выключить тумблер "Диф. насос".
26.   Через    20   мин   закрыть   вентиль   "Форвакуум"   и   выключить
форвакуумный насос нажатием нижней кнопки "Фор. насос".
27. Открыть вентиль "Напуск воздуха в насос".
28. Закрыть воду.


                 2.4. Лабораторная работа № 5
      Получение пленок методом магнетронного распыления


      Несмотря на свои широкие возможности метод получения тонких
пленок путем термического испарения в вакууме имеет и существенные
недостатки: неоднородность по толщине пленок, нанесенных на большие
площади, высокая инерционность процессов термоиспарения, трудности с
получением пленок ряда сплавов, соединений, тугоплавких металлов и,
наконец, недостаточная прочность сцепления пленки с подложкой.
      Эти недостатки метода существенно повысили интерес к получению
тонких пленок ионной бомбардировкой и стимулировали разработку
широкого класса установок этого типа. Ионно-плазменные методы
позволяют получать пленки различных металлов, в том числе и
тугоплавких,        многокомпозиционных         сплавов,    диэлектриков,
полупроводников, т.е. практически всех материалов, используемых в
микроэлектронике. Методы эти безинерционны, адгезия пленочных
покрытий значительно выше, чем при термическом испарении в вакууме.
В работе [2] рассмотрены и другие достоинства ионно-плазменных
методов.


                                     48