Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 49 стр.

     Простейшей распылительной установкой является обычная диодная
система с тлеющим разрядом. Но из-за высоких давлений проведения
процесса, определяемого областью существования тлеющего разряда,
практического        значения      подобные       установки       не     нашли:
неконтролируемый состав получаемых пленок, малые скорости их
образования, трудности в регулировании самого процесса. Действительно,
в тлеющем разряде постоянного тока движение распыляемых частиц имеет
диффузионный характер, велико явление обратной диффузии; ионы,
бомбардирующие катод, имеют большой разброс по энергиям и
неопределенный угол падения. Нельзя независимо изменять плотность
ионного тока и величину давления газа в системе. Чтобы поддерживать
разряд (проводить процесс) при меньших давлениях газа необходимо
повысить эффективность его ионизации имеющимся числом электронов.
Этого можно достичь, если тлеющий разряд зажигать в скрещенном
магнитном и электрическом полях. Магнитное поле, воздействуя на
тлеющий    разряд,     изменяет    главным      образом   характер     движения
электронов. Под действием магнитного поля электроны совершают
сложные циклоидальные движения по замкнутым траекториям вокруг
силовых линий поля. Вблизи поверхности мишени с увеличением
напряженности    магнитного        поля    радиус    спирали      уменьшается.
Следовательно,   возрастает       эффективная     длина   пути,   проходимого
электронами. В результате многократных столкновений электронов с
атомами рабочего газа (обычно аргона) резко увеличивается степень
ионизации газа, и возрастает плотность ионного тока (примерно в 100 раз
по сравнению с диодными распылительными системами без магнитного
поля), что приводит к существенному (в 50-100 раз) увеличению скорости
распыления материала мишени.
     Поскольку магнитное поле увеличивает траекторию движения
электронов, то, как уже говорилось, возрастает число их столкновений с

                                      49