Символьный анализ аналоговых и дискретно-аналоговых электрических цепей. Курганов С.А - 191 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

183
САФ четырехполюсного элемента на рис. 5.3.1,а может быть найдена
с помощью эквивалентного каскадного соединения двух трехполюсных
элементов – входного с полюсами 1, 2, 4 и выходного элемента с полюсами
2, 3, 4 (рис. 5.3.1,б). Емкости входного и выходного трехполюсных
элементов определяются, как и сопротивления, n-й и (1-n)-й долями от
общей емкости элемента соответственно. В результате двукратного
применения к эквивалентной схеме на рис. 5.3.1,б формулы выделения
трехполюсного RC-элемента (из столбца 1 табл. 5.3.1) и последующей
группировки слагаемых относительно нуллорных схем формируется САФ
четырехполюсного RC-элемента
Как видно, САФ (5.3.2) содержит 13 нуллорных схем из 15-ти
возможных для произвольного пассивного четырехполюсного элемента
[25]. Отсутствие двух нуллорных схем объясняется тем, что в схеме на рис.
5.3.1,б нет непосредственных связей между полюсами 1 и 3.
Трехполюсный элемент на базе R–C–G–0-структуры. Элемент
содержит 4 слоя: резистивный с полным сопротивлением R,
диэлектрический, образующий емкость C, резистивный с проводимостью
G и идеальный проводящий слой. Условное графическое обозначение
приведено в столбце 2 табл. 5.3.1 [109]. Поскольку параметры такого
элемента отличаются от соответствующих параметров трехполюсного
элемента на базе R–C–0-структуры только значением коэффициента
передачи θ (в столбце 2 табл. 5.3.1) [12], то его САФ будет иметь такой же
вид, что и САФ на базе R–C–0-структуры (табл. 5.3.1).
Трехполюсный элемент на базе R–C(G)–0-структуры. Этот элемент
в отличие от трехполюсного элемента на базе R–C–0-структуры содержит
диэлектрический слой с потерями, которые представляются его
проводимостью G. Параметры элемента отличаются от параметров
элементов на базе R–C–0- и R–C–G–0-структур также только значением
]]}, (5.3.2)
где V
1
= ch[(1–n)θ]; V
2
= sh(nθ)V
1
; V
3
= sh[(1-n)θ]; θ = (pRC)
1/2
.
Δ = n
2
(n–1)
2
R{θ
2
[R [sh(nθ) V
3
+ch(nθ) V
1
– ch(nθ)]
+
+θ[sh(nθ)V
1
+ V
3
ch(nθ)]
+
[[ch(nθ)–1] V
1
+sh(nθ) V
3
]R
] +
+ (ch(nθ)–1)R[R V
3
+
+ (V
1
–1)
+ sh(nθ)R
2
[R V
3
θ
] +
R[θ[[(ch(nθ)–1)V
3
+ V
2
]
+
θ
θ
[
+ (V
1
– 1)
V
2
] +
θ
+
θ
] +

Страницы