ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
31
напряжением (ИТУН), J
1
= Y
12
U
2
и J
2
= Y
21
U
2
. Проводимости
передачи Y
12
, Y
21
удовлетворяют условию
2112
1
YY
K
iz
.
Искомую САФ (п. 5 табл. 1.6.1) получим путем выделения Y
12
и Y
21
по
формуле (1.2.5).
Рис. 1.6.3. Схемы замещения идеального инвертора сопротивления
и операционного усилителя
Аналогично может быть выведена САФ идеального гиратора (п. 6
табл. 1.6.1). Для этого достаточно принять в схеме замещения инвертора
на рис. 1.6.3,а передаточные проводимости УИ Y
12
=Y
21
=g [57], где g –
проводимость (действительное число) гирации. Окончательное выражение
САФ гиратора дано в п. 6 табл. 1.6.1.
Рассмотрим теперь класс схем, содержащих операционный усилитель
(ОУ) с дифференциальным входом и одиночным выходом [45]. Исходная
схема с ОУ представлена в п. 7 табл. 1.6.1. Выведем САФ для случая, когда
параметрами ОУ являются коэффициент усиления K
ОУ
и выходная
проводимость Y
вых
, а входные проводимости бесконечно малы.
Соответствующая схема замещения изображена на рис. 1.6.3,б, где 1 –
инвертирующий вход; 2 – неинвертирующий вход; 3 – выход; 4 – общий
зажим. Вывод САФ осуществляется в два этапа: сначала по формуле
(1.2.5) выделяется параметр K
ОУ
, затем по формуле (1.2.2) – проводимость
Y
вых
. Окончательная САФ дана в п. 7 табл. 1.6.1.
Низкочастотные биполярные транзисторы характеризуются в
малосигнальном линейном режиме Н-параметрами [2], которые часто
приводятся в справочниках. Схема замещения транзистора, включенного с
общим эмиттером (п. 8, табл. 1.6.1), представлена на рис. 1.6.4,а, где ЭДС
ИНУН E
1
=h
12э
U
2
, функция источника тока, управляемого током (ИТУТ),
J
2
=h
21э
I
1
. Здесь и далее буквенный индекс у символа параметра
транзистора обозначает сокращенно его схему включения, например,
индекс «э» – схему с общим эмиттером. На схемах этими же буквами «э»,
«б», «к» обозначены электроды биполярного транзистора – база, эмиттер,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »
