Порошковая дифрактометрия в материаловедении. Часть II. Кузьмичева Г.М. - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

-49-
добавочную угловую зависимость интенсивности, которая
возникает при интегрировании, т.е. вследствие перехода от
максимальной к интегральной интенсивности. Фактор Лоренца
имеет разную величину для различных отражений и,
следовательно, меняет соотношение между интенсивностями
дифракционных отражений. Кроме того, формулы
интегральной интенсивности зависят от конкретной геометрии
метода съемки, что также учитывается угловым фактором
Лоренца.
Так, в методе порошковой дифрактометрии величина
L рассчитывается по формуле: L=1/(sin
2
θcosθ) (8).
P-поляризационный фактор. При съемках в камерах-
монохроматорах пучок рентгеновских лучей поляризуется
после отражения от кристалл-монохроматора. В этом случае
поляризационный фактор P=(1+cos
2
2θ)/2 (9) заменяется на
P=(1+cos
2
2θcos
2
2α)/(1+cos
2
2α) (10) (α-дифракционный угол для
отражающей плоскости кристалл-монохроматора; для
графитового монохроматора α=13,17°).
H- фактор повторяемости. Он зависит от класса симметрии
кристалла и равен числу семейств плоскостей кристалла,
принимающих участие в создании данной линии и имеющих
одинаковую интенсивность.
F
2
hkl
– структурный фактор - квадрат амплитуды волны,
рассеянной одной элементарной ячейкой в направлении,
-50-
определяемом индексами hkl. Он зависит от пространственного
расположения атомов в элементарной ячейке, т.е. от атомно-
кристаллической структуры кристалла.
F
2
hkl
=F
hkl
×F
hkl
*
, где
F
hkl
– структурная амплитуда, F
hkl
*
- комплексно-сопряженная
величина: F
hkl
=Σf
j
e
2πi(hx
j
+hy
j
+hz
j
)
, F
hkl
*
=Σf
j
e
-2πi(hx
j
+hy
j
+hz
j
)
.
Суммирование ведется по всем атомам в пределах одной
элементарной ячейки. Иначе эту зависимость можно записать в
виде:
F
hkl
=A
hkl
+iB
hkl
; F
hkl
*
=A
hkl
-iB
hkl
, F
2
hkl
=A
2
+B
2
(11)
A=Σf
j
cos2π(hx
j
+ky
j
+lz
j
) (12), B=Σf
j
sin2π(hx
j
+ky
j
+lz
j
) (13)
Входящие в эти выражения атомные амплитуды рассеяния f
j
с поправкой на температуру являются функцией sinθ/λ и
берутся из Интернациональных таблиц для нейтральных атомов
или ионов. Причем коэффициент, взятый для конкретного
атома (или атомов), позволяет учитывать дефектность данной
кристаллографической позиции или совместную занятость этой
позиции несколькими атомами.
3.1. Определение атомно-кристаллической
структуры
Атомно-кристаллическая структура – пространственное
расположение атомов
в кристаллических структурах
органических и неорганических соединений. 
                                -49-                                                                      -50-
добавочную угловую зависимость интенсивности, которая            определяемом индексами hkl. Он зависит от пространственного
возникает при интегрировании, т.е. вследствие перехода от        расположения атомов в элементарной ячейке, т.е. от атомно-
максимальной к интегральной интенсивности. Фактор Лоренца        кристаллической структуры кристалла.
имеет   разную    величину   для   различных   отражений    и,                             F2hkl =Fhkl×Fhkl*, где
следовательно, меняет соотношение между интенсивностями          Fhkl – структурная амплитуда, Fhkl* - комплексно-сопряженная
дифракционных      отражений.      Кроме    того,   формулы      величина: Fhkl=Σfje
                                                                                       2πi(hx +hy +hz )
                                                                                             j   j   j,
                                                                                                                   -2πi(hx +hy +hz )
                                                                                                          Fhkl*=Σfje      j   j   j.

интегральной интенсивности зависят от конкретной геометрии
                                                                   Суммирование ведется по всем атомам в пределах одной
метода съемки, что также учитывается угловым фактором
                                                                 элементарной ячейки. Иначе эту зависимость можно записать в
Лоренца. Так, в методе порошковой дифрактометрии величина
                                                                 виде:
L рассчитывается по формуле: L=1/(sin2θcosθ) (8).
                                                                         Fhkl=Ahkl+iBhkl; Fhkl*=Ahkl-iBhkl, F2hkl=A2+B2 (11)
  P-поляризационный фактор. При съемках в камерах-
                                                                    A=Σfjcos2π(hxj+kyj+lzj) (12), B=Σfjsin2π(hxj+kyj+lzj) (13)
монохроматорах пучок рентгеновских лучей поляризуется
                                                                   Входящие в эти выражения атомные амплитуды рассеяния fj
после отражения от кристалл-монохроматора. В этом случае
                                                                 с поправкой на температуру являются функцией sinθ/λ и
поляризационный фактор P=(1+cos22θ)/2 (9) заменяется на
                                                                 берутся из Интернациональных таблиц для нейтральных атомов
P=(1+cos22θcos22α)/(1+cos22α) (10) (α-дифракционный угол для
                                                                 или ионов. Причем коэффициент, взятый для конкретного
отражающей       плоскости    кристалл-монохроматора;      для
                                                                 атома (или атомов), позволяет учитывать дефектность данной
графитового монохроматора α=13,17°).
                                                                 кристаллографической позиции или совместную занятость этой
  H- фактор повторяемости. Он зависит от класса симметрии        позиции несколькими атомами.
кристалла и равен числу семейств плоскостей кристалла,
                                                                     3.1. Определение атомно-кристаллической
принимающих участие в создании данной линии и имеющих                                 структуры
                                                                   Атомно-кристаллическая структура – пространственное
одинаковую интенсивность.
                                                                 расположение     атомов           в       кристаллических         структурах
  F2hkl – структурный фактор - квадрат амплитуды волны,
                                                                 органических и неорганических соединений.
рассеянной одной элементарной ячейкой в направлении,

Страницы