ВУЗ:
Рубрика:
68
Направление, в котором
закручивается спираль, зави-
сит от знака заряда частицы.
На рисунке 5.11 показана тра-
ектория отрицательно заря-
женной частицы. При смене
знака заряда направление
вращения частицы меняется
на противоположное.
Если заряженная части-
ца движется в неоднородном
магнитном поле, индукция которого возрастает в направлении
движения частицы, то
R и h уменьшаются с ростом В. Следова-
тельно, частица движется по скручивающейся спирали, которая
навивается на линию индукции магнитного поля. На этом прин-
ципе основана магнитная фокусировка пучков заряженных час-
тиц.
5.11.3. Эффект Холла
Эффект Холла (1879 г.) − это возникновение в металле или
полупроводнике с током, по-
мещенном в магнитное поле,
разности потенциалов в на-
правлении, перпендикулярном
движению носителей тока.
Пусть ток с плотностью
j
в образце в виде прямоуголь-
ной пластины обусловлен
упорядоченным движением
частиц с зарядом
q. Поместим
пластину в магнитное поле с индукцией
B
r
, перпендикулярное
плотности тока
j
r
(рис. 5.12).
На частицу, движущуюся в магнитном поле, действует сила
Лоренца
[
]
BvqF
r
r
r
,
Л
= . При указанных на рис.5.12 направлениях
тока и магнитного поля сила Лоренца направлена вверх (вдоль
положительного направления оси OZ). Под действием силы
F
Л
Рис. 5.11
F
Л
v
v
⊥
v
||
h
R
B
α
Рис.5.12
х
y
O
z
a
b
j
r
B
r
A
B
68
Направление, в котором
закручивается спираль, зави-
сит от знака заряда частицы.
v B На рисунке 5.11 показана тра-
v⊥
h R ектория отрицательно заря-
αv женной частицы. При смене
|| знака заряда направление
FЛ вращения частицы меняется
на противоположное.
Рис. 5.11 Если заряженная части-
ца движется в неоднородном
магнитном поле, индукция которого возрастает в направлении
движения частицы, то R и h уменьшаются с ростом В. Следова-
тельно, частица движется по скручивающейся спирали, которая
навивается на линию индукции магнитного поля. На этом прин-
ципе основана магнитная фокусировка пучков заряженных час-
тиц.
5.11.3. Эффект Холла
Эффект Холла (1879 г.) − это возникновение в металле или
полупроводнике с током, по-
мещенном в магнитное поле,
z
A r разности потенциалов в на-
j правлении, перпендикулярном
y движению носителей тока.
a Пусть ток с плотностью j
B
b в образце в виде прямоуголь-
O r х ной пластины обусловлен
B упорядоченным движением
Рис.5.12
частиц с rзарядом q. Поместим
пластину в магнитное
r поле с индукцией B , перпендикулярное
плотности тока j (рис. 5.12).
На частицу, движущуюся в магнитном поле, действует сила
r
[ ]
r r
Лоренца FЛ = q v , B . При указанных на рис.5.12 направлениях
тока и магнитного поля сила Лоренца направлена вверх (вдоль
положительного направления оси OZ). Под действием силы FЛ
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
