ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
88
0
( , , ) ( , )exp( )E x z t f z i x i t d
,
где
( , ),(0 )f z z l
- спектральная плотность ТЕ-волны;
00
sin /
in in in
k k c
;
in
- диэлектрическая проницаемость
полупространства, их которого приходит волна,
c
- скорость света. Можно
показать, что задача распространения ТЕ-волны в системе
магнитоэлектрических слоев сводится к нахождению решения следующей
краевой задачи [8,9]:
2
0
0
( ) ( ) ( ),
( ) ( ) ( ) ( ),0 ,
(0) ( )cos (2 (0)),
( ) ( )cos ( ).
in
out out
j z z g z
g z k u z f z z l
g ik f
g l ik f l
(4.9)
Здесь
out
- угол, под которым электромагнитная волна выходит из
слоистой структуры:
1/2
2
0
cos 1 sin
in
out
out
,
0
( ) /kc
- волновое число в вакууме;
( ) /
out out
kc
;
out
-
диэлектрическая проницаемость последнего полупространства,
2
0
( ) ( ) ( ) sin / ( )
in
u z z z z
;
( ), ( )zz
- распределение
диэлектрической и магнитной проницаемости по толщине слоистой
структуры. Физические параметры слоистой структуры считаем
связанными между собой функциональной зависимостью, позволяющей
однозначно восстановить магнитную проницаемость допустимого
материала по его известной диэлектрической проницаемости. В
рассматриваемом случае независимым физическим параметром будет
являться только . Пусть задан дискретный набор материалов, множество
диэлектрических проницаемостей которого обозначим через . Для
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 86
- 87
- 88
- 89
- 90
- …
- следующая ›
- последняя »
