ВУЗ:
Составители:
2.3. Сенсоры магнитного поля
Сенсор магнитного поля представляет собой входной элемент измериJ
тельной схемы, преобразующий магнитное поле в электрический сигнал.
Для изготовления интегральных полупроводниковых сенсоров магнитноJ
го поля используются методы, применяемые в технологии интегральных схем.
Сейчас разрабатываются все новые типы интегральных сенсоров, предназнаJ
ченных для различных областей применения, что объясняется теми преимущеJ
ствами, которые дает интеграция на одном кристалле сенсорного элемента и
схем обработки сигнала. Конечная цель состоит в создании разнообразных
недорогих, изготавливаемых по групповой технологии высококачественных
сенсоров, сопряженных с цифровыми системами обработки сигналов, которые
находят все более широкое применение [44-47].
Существуют две группы применения сенсоров магнитного поля: непоJ
средственные и косвенные применения [44-47].
2.3.1. Элемент Холла
К первой группе относятся измерение индукции магнитного поля, считыJ
вание с магнитных лент или дисков, распознавание рисунка магнитными черJ
нилами на банкнотах и кредитных карточках и т.д.
На рис.2.11 приведена конструкция пленочного элемента Холла, преднаJ
значенного для измерения индукции магнитного поля [45,47].
В основе функционирования большинства типов магнитных сенсоров леJ
жат те или иные эффекты, обусловленные действием силы Лоренца на носитеJ
ли заряда полупроводника, движущиеся в электрическом поле.
Рис.2.11. Элемент Холла
Сила Лоренца определяется выражением [44-47]:
( )
BVqF
×⋅±=
, (2.14)
где
q
– заряд электрона;
V
– дрейфовая скорость носителей зарядов;
B
– индукJ
ция перпендикулярного магнитного поля.
В выражении (2.14) знак «+» ставится, если носителями заряда являются
дырки, а знак «–» – электроны.
Дрейфовая скорость носителей заряда определяется выражением [45,47]:
29
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »
