Проектирование микросхем и микропроцессоров. Макарчук М.В - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Плёночный конденсатор представляет собой две проводящие плёнки, разделённые диэлектрическим слоем (рис. 2).
Линейные размеры верхней проводящей плёнки (верхней обкладки конденсаторов) должны быть на 0,2 мм меньше, а
размеры диэлектрического слоя на 0,2 мм больше соответствующих линейных размеров нижней обкладки. При этом
исключается опасность замыкания обкладок и влияние взаимного смещения обкладок на величину ёмкости.
Номинальное значение ёмкости плёночного конденсатора определяется по формуле
C
=
C
0
S
,
где
C
0
– удельная ёмкость, пФ/см
2
;
S
– полезная площадь конденсатора, см
2
(площадь перекрытия обкладок конденсатора).
Порядок выполнения работы
1. Снять эскиз топологии микросхемы.
2. Определить последовательность напыления плёночных слоев.
3. Измерить электрическое сопротивление и ёмкость указанных преподавателем резисторов и конденсаторов.
4. Измерить линейные размеры всех резисторов и конденсаторов микросхем.
5. Рассчитать удельное поверхностное сопротивление
R
0
и удельную ёмкость
С
0
.
6. Рассчитать значение сопротивления и рассеиваемой мощности для всех резисторов и ёмкостей для всех
конденсаторов микросхемы.
7. Составить принципиальную электрическую схему.
8. Составить эскизы комплекта масок для одного из резисторов микросхемы.
Содержание отчёта
1. Принципиальная электрическая схема.
2. Эскиз топологии микросхемы с нумерацией контактных площадок и послойные чертежи.
3. Результаты выполнения задания пункта 5, сведённые в табл. 1.
Таблица 1
№
п/п
Наименовани
е элемента
Обозначени
е по схеме
Номинально
е
значение
Рассеива-
емая
мощность,
Вт
Геометрически
е параметры
элемента, мм
1 Резистор
R
1
2 Конденсатор
C
1
4. Расчёт удельного сопротивления и удельной ёмкости.
5. Последовательность нанесения плёночных слоёв (с указанием материала и толщины слоя).
6. Эскиз комплекта масок для одного из резисторов микросхемы.
Контрольные вопросы
1.
Какие технологические ограничения необходимо учитывать при разработке топологии гибридно-плёночных
микросхем?
2.
Объясните последовательность нанесения плёночных слоев.
3.
Каким требованиям должен удовлетворять материал, используемый в качестве диэлектрика в пленочных
конденсаторах?
4.
Почему проводники в плёночных микросхемах имеют, как правило, многослойную структуру?
5.
Из каких соображений выбирается величина перекрытия концов пленочного резистора проводящим слоем?
6.
Какие методы получения рисунка схемы элементов в плёночных микросхемах Вы знаете?
7.
Почему полупроводниковые приборы, входящие в микросхему, выполнены в дискретном виде?
Список рекомендуемой литературы
1. Парфенов, О.Д. Технология микросхем / О.Д. Парфенов. – М. : Высшая школа, 1977.
2. Николаев, И.М. Микроэлектронные устройства и основы их проектирования / И.М. Николаев, Н.А. Филинюк. – М. :
Энергия, 1979.

Страницы