ВУЗ:
Составители:
где
n
– число резисторов на плате.
Определить среднее квадратическое отклонение σ
R
величины удельного поверхностного сопротивления от
номинального, принимая в качестве номинального среднее арифметическое значение, определённое по формуле (2)
( )
.
1
1
2
ном0
∑
=
−=σ
n
i
iR
RR
n
Определить относительную погрешность ε
R
воспроизведения номинального значения удельного поверхностного
сопротивления резисторов на плате по формуле
%100
ном
⋅
σ
=ε
R
R
R
Результаты занести в табл. 2.
Таблица 2
Обозначение
резистора
в эскизе топологии
l
, мм
b
, мм
R
, Ом
R
0
,
Ом/кв
0
R
,
Ом/кв
σ
R
,
Ом/кв
ε
R
, %
Содержание отчёта
1. Результаты определения видов и причин брака при изготовлении толстоплёночных ГИМС (табл. 1).
2. Эскиз топологии пассивной части толстоплёночной ГИМС с измеренными величинами основных параметров,
определяемых конструкторско-технологическими ограничениями.
3. Результаты определения величины и точности номиналов резистивных элементов платы толстопленочной ГИМС
(табл. 2).
Контрольные вопросы
1.
Дайте характеристику материалов подложек толстоплёночных ГИМС.
2.
Каков фазовый и химический состав паст толстоплёночных ГИМС?
3.
В чём особенности применения полимерных и фотополимерных паст в технологии толстоплёночных ГИМС?
4.
Опишите процесс трафаретной печати с применением цельно – металлических и сетчатых трафаретов.
5.
Дайте характеристику основных типов дефектов трафаретной печати и объясните причины их возникновения.
6.
Опишите основные этапы термообработки паст при изготовлении толстоплёночных ГИМС.
7.
Каковы основные особенности технологии толстоплёночных СВЧ ГИМС?
Список рекомендованной литературы
1.
Парфенов, О.Д. Технология микросхем / О.Д. Парфенов. – М. : Высшая школа, 1986.
2.
Краснов, В.Г. Толстоплёночная технология в СВЧ микроэлектронике / В.Г. Краснов, Г.Б. Петраускис, Ю.C.
Чернозубов. – М. : Радио и связь, 1985.
