Проектирование микросхем и микропроцессоров. Макарчук М.В - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Таблица 2
Толщина слоя оксида, мкм
при порядке интерференции
Цвет
I II III IV
Серый 0,05
Рыжевато-коричневный 0,07
Коричневый 0,10
Синий 0,15
Жёлтый 0,22 0,39 0,57 0,77
Оранжевый 0,25 0,41 0,58 0,80
Красный 0,27 0,44 0,62
Фиолетовый 0,30 0,46 0,63 0,86
Голубой 0,31 0,49 0,68 0,87
Зелёный 0,35 0,52 0,74
При толщинах плёнок, превышающих 0,1 мкм, и окислении при температурах более 1000
°
С рост толщины плёнки
подчиняется параболическому закону:
X
2
=
kt
,
где
Х
– толщина двуокиси кремния;
k
– константа скорости роста;
t
– время окисления.
В атмосфере сухого кислорода при атмосферном давлении
⋅=
−
kT
xt
7,1
exp1019,1
22
,
где
t
– время окисления (мин);
X
– толщина оксида (мкм);
k
– постоянная Больцмана :
k
= 8,62
.
10
-5
(ЭВ/град);
T
– температура
(К).
В атмосфере паров воды при атмосферном давлении
.
8,0
exp1377,0
2
=
kT
xt
При выращивании на поверхности кремния маскирующего слоя оксида последний обычно формируется из двух или
трёх слоёв: первый слой толщиной 0,02 … 0,05 мкм выращивают в атмосфере сухого кислорода, второй – толщиной 0,4 …
0,8 мкм – в парах воды и третий – 0,2 мкм – снова в сухом кислороде. Такое многослойное выращивание оксида
определяется тем, что в сухом кислороде образуется плотный оксид, а в парах воды обеспечивается высокая скорость роста
(но меньшая плотность).
Порядок выполнения работы
1. Изучить последовательность операций изготовления ПИМС, используя набор пластин, взятых на различных стадиях
технологического процесса. Просматривая с помощью микроскопа весь набор, рекомендуется упорядочить расположение
пластин по мере усложнения формируемых структур. Выбрать на кристалле какую-либо транзисторную структуру.
Проследить процесс её формирования, определить наименование технологических операций, пользуясь маршрутной картой.
Результаты выполнения данного пункта сводятся в табл. 3.
Таблица 3
№
образ
ца
Наименование
операций в
маршрутной
карте
Номер
операции в
маршрутной
карте
Характерн
ые
признаки
операции
Вид и
причина
брака
Эскиз
топологии
структуры
2. Изучить технологические операции изготовления ПИМС, указав характерные признаки каждой операции на
соответствующей пластине набора. Используя альбом контроля качества (имеется на рабочем месте), указать виды и
причины брака на каждой операции изделия. Результаты выполнения пункта занести в табл. 3.
3. Измерить параметры оксидных слоёв ПИМС, для чего, пользуясь данными табл. 2, определить толщину слоя оксида
на всех пластинах, имеющих данный слой. По результатам выполнения пункта заполнить табл. 4.

Страницы