Проектирование микросхем и микропроцессоров. Макарчук М.В - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

13. Контроль пластин.
14. Химическая обработка.
15. I стадия диффузии скрытого слоя.
16. II стадия диффузии скрытого слоя.
17. Снятие стекла (оксида).
18. Контроль ВАХ
р
-
n
переходов.
19. Химическая обработка: а) ультразвуковая отмывка в кислотах; б) ультразвуковая отмывка в растворителях; в)
отмывка в деионизованной воде; г) вакуумная сушка.
20. Наращивание эпитаксиального слоя.
21. Окисление II.
22. Термообработка.
23. Фотолитография II (вскрытие окон под диффузию вертикального слоя).
24. I стадия диффузии вертикального слоя.
25. II стадия диффузии вертикального слоя.
26. Снятие стекла (оксида).
27. Окисление III.
28. Термообработка.
29. Фотолитография III (вскрытие окон под разделительную диф-фузию).
30. I стадия разделительной диффузии.
31. II стадия разделительной диффузии.
32. Снятие стекла (оксида).
33. Контроль ВАХ
р
-
n
переходов.
34. Химическая обработка.
35. Окисление IV.
36. Термообработка.
37. Фотолитография IV (вскрытие окон под базовую диффузию).
38. I стадия базовой диффузии.
39. II стадия базовой диффузии.
40. Снятие стекла (оксида).
41. Контроль пластин: а) контроль ВАХ
р
-
n
переходов; б) контроль толщины диффузионного слоя; в) измерение
удельного поверхностного сопротивления.
42. Химическая обработка.
43. Окисление V.
44. Термообработка.
45. Фотолитография V (вскрытие окон под эмиттер).
46. I стадия эмиттерной диффузии.
47. II стадия эмиттерной диффузии.
48. Окисление VI.
49. Фотолитография VI (вскрытие окон под контакты).
50. Химическая обработка.
51. Напыление ванадия.
52. Напыление алюминия.
53. Фотолитография VII (формирование межсоединений).
54. Контроль толщины и адгезии.
55. Пассивация (напыление оксида в плазме).
56. Фотолитография VIII (вскрытие окон в пассивации).
57. Вплавление ванадия, алюминия.
58. Скрайбирование пластин.
59. Ломка пластин на кристаллы.
60. Посадка кристалла на основание корпуса.
61. Термокомпрессионное присоединение выводов.
62. Герметизация корпуса.
63. Контроль герметизации.
64. Маркировка микросхем.
65. Приёмосдаточные испытания.
66. Контроль микросхем на функционирование.
67. Упаковка приборов (микросхем).
Определение толщины оксида и времени окисления
Для определения толщины слоя диокисида кремния применяют в основном оптические методы и чаще всего метод
цветовых оттенков Ньютона, который основан на использовании интерференционных цветов, возникающих при отражении
белого света от пластины. Порядок интерференции оценивается по красным кольцам клина травления. Толщина слоя оксида
оценивается по табл. 2.

Страницы