ВУЗ:
Составители:
Таблица 4
№ пластины Цвет оксида Толщина слоя оксида, мкм
4. Рассчитать время выращивания маскирующего оксида на одной из пластин, пользуясь формулами (1), (2). Найти время
окисления для случаев:
а) оксид выращивается в сухом кислороде;
б) оксид выращивается в парах воды;
в) оксид имеет трёхслойную структуру.
Содержание отчёта
1. Результаты выполнения работы, сведенные в табл. 3 и 4.
2. Расчёты времени выращивания оксидной плёнки.
Контрольные вопросы
1.
Какова последовательность операций изготовления ПИМС?
2.
Изобразить сечение ПИМС после заданной операции.
3.
Каково назначение скрытого слоя, вертикального слоя, разделительной диффузии, других областей ПИМС?
4.
Для чего нужен эпитаксиальный слой? Почему область коллектора не формируют, как и другие области, диффузией, а
наращивают с помощью эпитаксии?
5.
Расскажите о фотошаблонах, их назначении, особенностях, технологии изготовления.
6.
Охарактеризуйте отдельные операции технологического процесса ПИМС: фотолитографию, окисление, диффузию и
др.
7.
Какое оборудование и материалы применяются на отдельных технологических операциях?
8.
С какой целью проводится формирование маскирующего оксида из двух или трёх слоев?
9.
С какой целью проводится двухстадийная диффузия?
10.
Охарактеризуйте методы контроля параметров слоёв.
11.
Какие виды технологического брака Вам известны и какими причинами они вызваны?
12.
Из каких соображений выбираются толщина и удельное сопротивление подложки и эпитаксиального слоя?
13.
Для чего область эмиттера делается с высокой степенью легирования (
n
+)?
14.
Зачем при создании
n
-областей с металлической разводкой зону контакта дополнительно легируют?
15.
На какой операции формируются резисторы ПИМС?
16.
Для чего металлизация делается многослойной?
Список рекомендуемой литературы
1. Ефимов, И.Б. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надёжность / И.Б Ефимов, И.Я. Козырь,
Ю.И. Горбунов. – М. : Высшая школа, 1986. – С. 202 – 207, 217 – 221, 241 – 244, 250 – 254, 292 – 296.
