Проектирование микросхем и микропроцессоров. Макарчук М.В - 21 стр.

UptoLike

стеклянного компонента и спекание частиц наполнителя между собой и с подложкой. Максимальная температура вжигания
для проводников составляет 800°С, для диэлектриков 700°С, для резисторов (600 650)°С. Длительность вжигания
порядка 1,5 ч. При изготовлении ГИМС каждый последующий слой должен вжигаться при более низкой температуре, чем
предыдущий, что определяется последовательность нанесении слоев.
А Б В Г Д Е Ж З
Рис. 2. Дефекты трафаретной печати:
Абездефектный отпечаток; Бзубцы (велика вязкость пасты, большое давление ракеля); В разрывы (большая ступень на
подложке); Гнеоднородная ширина (неточная установка трафарета); Днеполная ширина (большая величина зазора
трафарет-подложка);. Ерегулярное искажение формы (мало натяжение сетки);
Жуширение (мала вязкость пасты); З видимая сетчатая структура (слишком высокий предел текучести пасты)
Точность номиналов толстоплёночных резисторов не превышает 50%, поэтому для них обязательна операция подгонки.
Элементы толстоплёночных ГИМС могут располагаться на обеих сторонах подложки. Контактные переходы с одной
стороны подложки на другую осуществляются через армированные отверстия или через боковую поверхность платы.
Армирование плат (механическое крепление внешних выводов и контактных переходов) осуществляется
расклепыванием или подгибкой с опрессовкой. Для получения надёжного электрического соединения выводов и контактных
переходов с плёночными контактными площадками плату облуживают.
Навесные компоненты с гибкими выводами приклеивают к плате, с жёсткими выводами присоединяют пайкой.
Для герметизации толстоплёночных ГИМС используют полимерные или металлополимерные корпуса типов «Тропа»,
«Акция», «Пенал», «Трапеция» с заливкой компанудом холодного отверждения. Возможна бескорпусная герметизация
нанесением защитных материалов (компанудов) непосредственно на поверхность ГИМС с последующим формованием
(опрессовкой).
Порядок выполнения работы
1. Изучение топологии и конструктивных параметров пассивной части толстоплёночных ГИМС
Начертить на миллиметровой бумаге эскиз топологии пассивной части образца толстопленочной ГИМС с
резистивными элементами.
Измерить основные конструктивные параметры топологии, регламентируемые конструктивно-технологическими
ограничениями при проектировании толстоплёночной ГИМС.
Измеренные величины представить на эскизе топологии.
2. Определить наличие брака при изготовлении ГИМС. Описать вид брака и указать, какие нарушения
технологического процесса при выполнении соответствующих операций явились причиной брака. Результаты занести в
таблицу.
Таблица 1
Номер
образца
Номер операции в
маршрутной карте
Наименование
операции в
маршрутной
карте
Характерные
признаки
операции
Вид и
причины
брака
3. Определение величины и точности номиналов резистивных элементов платы толстоплёночной ГИМС.
Провести измерения сопротивления и геометрических размеров резистивных элементов платы.
На основании результатов измерений определить величину удельного поверхностного сопротивления каждого
резистора по формуле
,
1
0
Rb
R
=
где
R
0
удельное поверхностное сопротивление, Ом/кв;
l
,
b
соответственно длина и ширина резистора, мм.
Определить среднее арифметическое значение удельного поверхностного сопротивления резисторов на плате по
формуле
,
1
1
00
=
=
n
i
i
R
n
R