ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
10. ЗАРЯЖЕННЫЙ СЛОЙ. ДЕБАЕВСКАЯ ДЛИНА ЭКРАНИРОВАНИЯ
Измерение концентрации заряженных частиц в плазме разряда низкого
давления встречает трудности, связанные прежде всего с неопределенностью
величины собирающей поверхности зонда, т. к. в типичных условиях размер
заряженного слоя сравним с размером зонда.
Оценим размер слоя из простых соображений. Предположим сначала, что
слой тонкий, тогда систему зонд и заряженный слой можно
рассматривать как
плоский конденсатор, емкость единицы площади поверхности которого равна
d
C
π
4
1
=
. С другой стороны,
vv
enid
vv
q
C
nn
+
=
+
=
. Здесь ─ заряд слоя,
─ потенциал более отрицательного зонда. Приравнивая выражение
для С, получим
enid
(
vv
n
+
)
()
(
)
.
4
2
e
n
e
n
i
e
vv
D
vv
en
kT
d
θθ
π
+
=
+
⋅=
(13)
Величина
2
4 en
kT
D
i
e
π
=
называется дебаевской длиной или дебаевским
радиусом экранирования. Формула (13), несмотря на ее приближенный
характер, объясняет увеличение заряженного слоя и связанной с ним величины
собирающей поверхности зонда.
Дебаевская длина экранирования ( фундаментальная величина в физике
плазмы) встречается в теории электролитов Дебая-Хюккеля ( там она была
открыта) и показывает, на каком расстоянии экранируется поле
отдельного
иона из-за наличия вокруг него зарядов противоположного знака.
11. ОЦЕНКА РАЗМЕРА ПОВЕРХНОСТИ ЗОНДА
Когда размеры заряженного слоя приближается к размеру зонда, ошибка в
измерении концентрации ионов по току насыщения может достичь нескольких
сот процентов. Дело в том, что при
1≥
a
λ
для определения собирающей
поверхности зонда нельзя просто размер зонда увеличить на величину
. Это
видно из рис.4.
d
В случае тонкого слоя (рис.4.1) можно считать, что размер зонда
возрастает на
, и величина собирающей поверхности будет равна
d2
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
+=
a
d
SS 1
0
. (14)
10. ЗАРЯЖЕННЫЙ СЛОЙ. ДЕБАЕВСКАЯ ДЛИНА ЭКРАНИРОВАНИЯ
Измерение концентрации заряженных частиц в плазме разряда низкого
давления встречает трудности, связанные прежде всего с неопределенностью
величины собирающей поверхности зонда, т. к. в типичных условиях размер
заряженного слоя сравним с размером зонда.
Оценим размер слоя из простых соображений. Предположим сначала, что
слой тонкий, тогда систему зонд и заряженный слой можно рассматривать как
плоский конденсатор, емкость единицы площади поверхности которого равна
1 q enid
C= . С другой стороны, C = = . Здесь enid ─ заряд слоя,
4πd vn + v vn + v
(vn + v ) ─ потенциал более отрицательного зонда. Приравнивая выражение
для С, получим
kTe (vn + v ) (vn + v )
d= ⋅ = D . (13)
4πni e 2 θe θe
kTe
Величина D= называется дебаевской длиной или дебаевским
4πni e 2
радиусом экранирования. Формула (13), несмотря на ее приближенный
характер, объясняет увеличение заряженного слоя и связанной с ним величины
собирающей поверхности зонда.
Дебаевская длина экранирования ( фундаментальная величина в физике
плазмы) встречается в теории электролитов Дебая-Хюккеля ( там она была
открыта) и показывает, на каком расстоянии экранируется поле отдельного
иона из-за наличия вокруг него зарядов противоположного знака.
11. ОЦЕНКА РАЗМЕРА ПОВЕРХНОСТИ ЗОНДА
Когда размеры заряженного слоя приближается к размеру зонда, ошибка в
измерении концентрации ионов по току насыщения может достичь нескольких
λ
сот процентов. Дело в том, что при ≥ 1 для определения собирающей
a
поверхности зонда нельзя просто размер зонда увеличить на величину d . Это
видно из рис.4.
В случае тонкого слоя (рис.4.1) можно считать, что размер зонда
возрастает на 2d , и величина собирающей поверхности будет равна
⎛ d⎞
S = S 0 ⎜1 + ⎟ . (14)
⎝ a⎠
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
