Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 124 стр.

глощения. Следовательно, это один из способов грубого
определения зависимости α(ħω).
     Спектроскопия фиксированного конечного состоя-
ния (ФКС) и фиксированного начального состояния
(ФНС). При спектроскопии ФКС фиксируется значение
кинетической энергии электронов и изменяется ħω. Зави-
симость выхода от энергии фотона позволяет с большим
разрешением исследовать тонкую структуру, если Екин ма-
ло (так как ∆Е/E=const). Если измерять количество фо-
новых низкоэнергетических электронов в зависимости от
ħω, то, так же как и при измерении абсолютного выхода,
кривая совпадает с α(ħω). При спектроскопии ФНС сохра-
няется постоянным значение
     Еi=ħω – Екин – Ф.
Спектроскопия ФНС хорошо подходит для измерения за-
висимости сечения фотоэффекта оболочек или хорошо оп-
ределенных зон в твердом теле.
     Спектроскопия с угловым разрешением. Если глуби-
на затухания электрона с энергией Ef достаточно велика, то
полный импульс электрона, выбитого из вещества, равен
его импульсу до поглощения фотона (импульс фотона пре-
небрежимо мал). Поэтому при фотоэффекте в монокри-
сталле направление вылета электрона определяется исход-
ным значением импульса. Если глубина затухания мала, то
сохраняется компонента импульса k||, параллельная по-
верхности. В этом случае также можно получить полезную
информацию.
     Поверхностные состояния возникают вследствие отсут-
ствия трансляционной симметрии. Волновая функция у
поверхности может вести себя по-разному. В одном случае
имеется чистое поверхностное состояние, которое сущест-
вует для любого значения k||, в другом — поверхностное
состояние существует только для определенных значений
k||, а для других значений k|| совпадает с объемным состоя-

                          - 123 -