Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 125 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

- 124 -
нием (поверхностный резонанс). Поверхностные состояния
наблюдаются экспериментально. Для их обнаружения не-
обходимо давление порядка 10
-9
Па.
Рис. 2.26. Диаграмма направленности для s- (а) и р-поляризации (б).
При облучении поликристалла вероятность вылета фо-
тоэлектрона под углом φ к направлению наблюдения опре-
деляется выражением
N(φ) ≈ [en]
2
,
где е – вектор поляризации света. Для s-поляризации диа-
грамма направленности имеет форму (рис. 2.26, а). Форму
диаграммы направленности для р-поляризации см. на рис.
2.26, б.
Рис. 2.27. Кривая дисперсии для свободного электрона (v
0
=Ф) (а) и
потенциальная диаграмма вблизи поверхности (б)
На рис. 2.27 приведена потенциальная диаграмма вбли-
зи поверхности вместе с кривой дисперсии для свободного
электрона. Очевидно, что электрон должен иметь доста-
точную компоненту импульса k
⊥
для преодоления поверх-
нием (поверхностный резонанс). Поверхностные состояния
наблюдаются экспериментально. Для их обнаружения не-
обходимо давление порядка 10-9 Па.




Рис. 2.26. Диаграмма направленности для s- (а) и р-поляризации (б).

   При облучении поликристалла вероятность вылета фо-
тоэлектрона под углом φ к направлению наблюдения опре-
деляется выражением
   N(φ) ≈ [en]2,
где е – вектор поляризации света. Для s-поляризации диа-
грамма направленности имеет форму (рис. 2.26, а). Форму
диаграммы направленности для р-поляризации см. на рис.
2.26, б.




Рис. 2.27. Кривая дисперсии для свободного электрона (v0=Ф) (а) и
потенциальная диаграмма вблизи поверхности (б)
   На рис. 2.27 приведена потенциальная диаграмма вбли-
зи поверхности вместе с кривой дисперсии для свободного
электрона. Очевидно, что электрон должен иметь доста-
точную компоненту импульса k⊥ для преодоления поверх-
                               - 124 -

Страницы