Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 71 стр.

UptoLike

Составители: 

- 70 -
это магнитные поворотные муфты. Рефлектометр, изображенный на
рис. 2.3, позволяет измерять зависимость отражения, пропускания и
фотоэмиссии от угла и поляризации для пленок, полученных напыле-
нием непосредственно в вакууме. Измерения отражения могут прово-
диться при углах падения от 15 до 82,5°. Общее кольцо, на котором
укреплены образец и детектор, может быть повернуто на 90° вокруг
направления падения СИ, что позволяет переходить от почти полной s-
поляризации падающего на образец излучения (см. рис. 2.3) к почти
полной р-поляризации.
2.3. Дисперсионные соотношения Крамерса
Кронига
Все перечисленные выше методы определения опти-
ческих констант требуют измерения двух значений на од-
ной частоте падающего света. Существует достаточно на-
дежный способ определения оптических констант по изме-
рениям коэффициента отражения света в широкой области
спектра. Предварительно необходимо сделать несколько
замечаний о свойствах оптических констант.
Рис. 2.3. Принцип конструкции
рефлектометра для работ с СИ:
1—СИ после монохроматора; 2—
механизм поворота рефлектометра во-
круг оси падающего СИ (переход от s- к р-
поляризации); 3—образец; 4—ось поворо-
та для изменения угла положения детекто-
ра и угла установки образца; 5—поворот
детектора; 6—поворот образца; 7—
направление вывода образца из пучка СИ:
8—детектор (измерение отраженного
излучения); 9—положение детектора при
выведенном образце (измерение интенсив-
ности падающего излучения I
0
)
Диэлектрическая проницаемость ε=ε
1
(ω)+iε
2
(ω) связы-
вает Фурье-компоненты индукции и напряженности элек-
трического поля. Функцию ε(ω), определенную при дейст-
вительных ω, можно аналитически продолжить в область
комплексных ω. В силу принципа причинности индукция
может быть связана с напряженностью электрического по-
— это магнитные поворотные муфты. Рефлектометр, изображенный на
рис. 2.3, позволяет измерять зависимость отражения, пропускания и
фотоэмиссии от угла и поляризации для пленок, полученных напыле-
нием непосредственно в вакууме. Измерения отражения могут прово-
диться при углах падения от 15 до 82,5°. Общее кольцо, на котором
укреплены образец и детектор, может быть повернуто на 90° вокруг
направления падения СИ, что позволяет переходить от почти полной s-
поляризации падающего на образец излучения (см. рис. 2.3) к почти
полной р-поляризации.

  2.3. Дисперсионные соотношения Крамерса –
Кронига
   Все перечисленные выше методы определения опти-
ческих констант требуют измерения двух значений на од-
ной частоте падающего света. Существует достаточно на-
дежный способ определения оптических констант по изме-
рениям коэффициента отражения света в широкой области
спектра. Предварительно необходимо сделать несколько
замечаний о свойствах оптических констант.
                                  Рис. 2.3. Принцип конструкции
                                  рефлектометра для работ с СИ:
                                  1—СИ      после    монохроматора;    2—
                                  механизм поворота рефлектометра       во-
                                  круг оси падающего СИ (переход от s- к р-
                                  поляризации); 3—образец; 4—ось поворо-
                                  та для изменения угла положения детекто-
                                  ра и угла установки образца; 5—поворот
                                  детектора; 6—поворот образца; 7—
                                  направление вывода образца из пучка СИ:
                                  8—детектор (измерение отраженного
                                  излучения); 9—положение детектора при
                                  выведенном образце (измерение интенсив-
                                  ности падающего излучения I0)


   Диэлектрическая проницаемость ε=ε1(ω)+iε2(ω) связы-
вает Фурье-компоненты индукции и напряженности элек-
трического поля. Функцию ε(ω), определенную при дейст-
вительных ω, можно аналитически продолжить в область
комплексных ω. В силу принципа причинности индукция
может быть связана с напряженностью электрического по-

                              - 70 -