Основы нанофизики. Моисеев С.Г - 32 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

6. ДВИЖЕНИЕ ЧАСТИЦ В ДВУХБАРЬЕРНЫХ КВАНТОВЫХ

СТРУКТУРАХ

Современные технологические методы позволяют создавать много-

слойные полупроводниковые гетероструктуры с толщиной слоя в 1–10 нм

и сложным потенциальным профилем. В таких системах возможно на-

правленное регулирование энергетического спектра и скорости рассеяния

электронов с помощью изменения не только формы квантовых ям, но и

связи между

ними. Структуры со связанными квантовыми ямами стали

основой многих электронных и оптоэлектронных приборов. На их основе

созданы лазеры инфракрасного диапазона, приемники инфракрасного из-

лучения, быстродействующие транзисторы. Подчеркнем, что интерес к

двухбарьерным квантовым структурам обусловлен малой инерционно-

стью процесса резонансного туннелирования в них (характерное время

туннелирования порядка

c), а следовательно, перспективами созда-

ния высокоточных приборов, работающих в терагерцевом диапазоне час-

тот, и цифровых приборов со временем переключения менее 1 с.

Пусть на двухбарьерную структуру (см. рис. 6.1) в положительном

направлении оси z падают частицы с энергией E. Найдем коэффициенты

отражения и прохождения через структуру, не решая уравнение Шре-

дингера, а рассматривая многократные переотражения волн от барьеров.

Рис. 6.1