ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
36
n
n
kk
dk
d
LL
Re
2
1
~
21
.
Для нижнего уровня ( ) в структуре, содержащей слои и
, при эВ, , ,
оказывается, что , а при .
В реальных структурах необходимо учитывать рассеяние электронов
на примесях, дефектах, фононах и т.д. Процессы рассеяния нарушают ко-
герентность электронных волн и условия их интерференции, что приводит
к так называемому столкновительному (релаксационному) уширению
уровней электрона. Вклад процессов рассеяния в величину энергетическо-
го уровня принято обозначать
p
( соответствует отсутствию
уширения уровня). Время релаксации возрастает с уменьшением кон-
центрации примесей и дефектов, а так же с понижением температуры. Для
чистого при c, при c, при
c.
Оказывается, если учесть рассеяние электронов , то даже
при максимальное значение , но оно тем ближе к 1, чем
больше отношение
np
.
Флуктуации толщины и состава барьерных слоев приводят к разли-
чию значений (резонансных уровней энергии) на различных участках
двухбарьерной структуры, что в свою очередь уменьшает полный резо-
нансный ток частиц с заданной энергией. Поэтому требование высокой
степени идентичности и однородности барьерных слоев является сущест-
венным при изготовлении резонансных туннельных полупроводниковых
гетероструктур и приборов на их основе.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »
