ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
-4-
разрешенные значения волновых векторов. В случае кристалла в форме
прямоугольного параллелепипеда с размерами
LL
xy
, и L
z
k
L
m
x
x
=
2
π
;
k
L
n
y
y
=
2
π
; k
L
p
z
z
=
2
π
, (1.2)
где
mn
p
, , - целые числа.
Электроны являются ферми-частицами со спином 1/2 (в единицах
h
). В отсутствие внешнего магнитного поля и магнитного упорядочения
состояние электронов с заданным
r
k оказывается двукратно вырожденным
по величине проекции спина на выделенную ось z:
s
z
=±12/ . Число
состояний
dN , приходящихся на объем dk
3
r
в пространстве волновых
векторов равно
dN
Vd k
s
k
=+
3
3
2
21
r
()
()
π
, (1.3)
где
V
- объем кристалла.
Если перейти от волнового вектора к импульсу электрона
r
h
r
pk= ,
то для числа состояний в объеме
dp
3
r
в пространстве импульсов получим
dN
Vd p
s
p
r
r
h
=+
3
3
2
21
()
()
π
. (1.4)
Поскольку энергия свободного электрона
ε
= pm
2
2/ , где m - его
масса, то после замены переменной pm= ()
/
2
12
ε
в (1.4) получаем число
электронных состояний в интервале энергий от
ε
до
ε
ε
+
d .
dN
Vm d
ε
εε
π
=
()
/
2
312
23
h
, (1.5)
здесь учтено, что
212s +=.
Ведем аналогично случаю фононов, понятие плотности электронных
состояний
ν
ε
()
:
-4-
разрешенные значения волновых векторов. В случае кристалла в форме
прямоугольного параллелепипеда с размерами L x , L y и L z
2π 2π 2π
kx = m; k y = n; k z = p, (1.2)
Lx Ly Lz
где m, n, p - целые числа.
Электроны являются ферми-частицами со спином 1/2 (в единицах
h ). В отсутствие внешнего магнитного
r поля и магнитного упорядочения
состояние электронов с заданным k оказывается двукратно вырожденным
по величине проекции спина на выделенную ось z: sz = ±1 / 2 . Число
r 3
состояний dN , приходящихся на объем d k в пространстве волновых
векторов равно
3
r
Vd k
dN k = ( 2s + 1) , (1.3)
( 2π ) 3
где V - объем кристалла. r
r
Если перейти от волнового вектора к импульсу электрона p = hk ,
3r
то для числа состояний в объеме d p в пространстве импульсов получим
r
Vd 3 p
dN pr = ( 2s + 1) . (1.4)
( 2πh) 3
Поскольку энергия свободного электрона ε = p 2 / 2m , где m - его
масса, то после замены переменной p = ( 2mε )
1/ 2
в (1.4) получаем число
электронных состояний в интервале энергий от ε до ε + dε .
V ( 2m3ε )1 / 2 dε
dN ε = , (1.5)
π 2 h3
здесь учтено, что 2s + 1 = 2 .
Ведем аналогично случаю фононов, понятие плотности электронных
состояний ν ( ε ) :
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »
