ВУЗ:
Составители:
- 33 -
],
2
)(
exp[
2
1
)(
2
D
EE
D
Ep
∆−∆
−⋅=∆
π
г д е
x
dx
dE
E ∆⋅=∆ - средние потери энергии в слое ∆x, а D = 4πe
4
z
2
n
e
∆x -
дисперсия распределения. Распределение Гаусса симметрично, наиболее
вероятные потери совпадают со средними потерями. Но на практике
обычно используются тонкие поглотители.
Поскольку характер энергетического распределения частиц,
проходящих cлой ∆x, зависит от толщины этого слоя, то необходимо
количественно определить понятия "толстый" и "тонкий" слой вещества.
Назовем слой поглотителя толстым, если в нем происходит много актов
столкновения с максимальной передаваемой энергией: N (> T
e
max
) >>1. Но
число столкновений на пути ∆x с передачей электрону энергии Т в
интервале (Т
e
, Т
e
+ dТ
e
) было уже ранее найдено:
.
2
)(
22
24
e
e
e
e
e
T
dT
xn
Vm
ze
TdN ∆⋅=
π
Следовательно, число столкновений в слое ∆x с передачей энергии
T
e
≥ T
e
max
будет:
.
12
)()(
max2
24
max
max
e
e
e
T
ee
T
xn
Vm
ze
TdNTN
e
⋅∆⋅⋅==≥
∫
∞
π
Отсюда можно получить условие "толстого поглотителя":
.
2
max
2
24
ee
e
Txn
Vm
zе
>>∆⋅
π
Если с электроном сталкивается тяжелая нерелятивистская частица, то
T
e
max
=2m
e
V
2
. Отсюда получаем, что слой ∆x поглотителя толстый, если
.2
2
2
2
24
Vmxn
V
z
m
e
ee
e
>>∆⋅⋅⋅
π
Если же в слое ∆x произошло мало столкновений с большой
передачей энергии электронам N(>T
e
max
) << 1, тo такой слой будем
называть тонким. Этому понятие соответствует соотношение
.
2
max
2
24
ee
e
Txn
Vm
ze
<<∆⋅
π
], г д е 1 (∆E − ∆E ) 2 p(∆E ) = ⋅ exp[− 2πD 2D ⋅ ∆x - средние потери энергии в слое ∆x, а D = 4πe4z2ne∆x - dE ∆E = dx дисперсия распределения. Распределение Гаусса симметрично, наиболее вероятные потери совпадают со средними потерями. Но на практике обычно используются тонкие поглотители. Поскольку характер энергетического распределения частиц, проходящих cлой ∆x, зависит от толщины этого слоя, то необходимо количественно определить понятия "толстый" и "тонкий" слой вещества. Назовем слой поглотителя толстым, если в нем происходит много актов столкновения с максимальной передаваемой энергией: N (> Temax) >>1. Но число столкновений на пути ∆x с передачей электрону энергии Те в интервале (Тe, Тe + dТe) было уже ранее найдено: 2πe 4 z 2 dT dN (Te ) = 2 ⋅ ne ∆x 2e . meV Te Следовательно, число столкновений в слое ∆x с передачей энергии Te ≥ Temax будет: ∫ dN (Te ) = ∞ 2πe 4 z 2 1 N (≥ T e max )= 2 ⋅ ne ⋅ ∆x ⋅ max . Temax meV Te Отсюда можно получить условие "толстого поглотителя": 2πе 4 z 2 2 ⋅ ne ∆x >> Temax . meV Если с электроном сталкивается тяжелая нерелятивистская частица, то Te max =2meV2. Отсюда получаем, что слой ∆x поглотителя толстый, если 2πe 4 z 2 ⋅ 2 ⋅ ne ⋅ ∆x >> 2meV 2 . me V Если же в слое ∆x произошло мало столкновений с большой передачей энергии электронам N(>Temax) << 1, тo такой слой будем называть тонким. Этому понятие соответствует соотношение 2πe 4 z 2 ⋅ ne ∆x << Temax . meV 2 - 33 -
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »