Взаимодействие излучения высокой энергии с веществом. Мурзина Е.А. - 34 стр.

UptoLike

Составители: 

- 33 -
],
2
)(
exp[
2
1
)(
2
D
EE
D
Ep
=
π
г д е
x
dx
dE
E = - средние потери энергии в слое x, а D = 4πe
4
z
2
n
e
x -
дисперсия распределения. Распределение Гаусса симметрично, наиболее
вероятные потери совпадают со средними потерями. Но на практике
обычно используются тонкие поглотители.
Поскольку характер энергетического распределения частиц,
проходящих cлой x, зависит от толщины этого слоя, то необходимо
количественно определить понятия "толстый" и "тонкий" слой вещества.
Назовем слой поглотителя толстым, если в нем происходит много актов
столкновения с максимальной передаваемой энергией: N (> T
e
max
) >>1. Но
число столкновений на пути x с передачей электрону энергии Т в
интервале (Т
e
, Т
e
+ dТ
e
) было уже ранее найдено:
.
2
)(
22
24
e
e
e
e
e
T
dT
xn
Vm
ze
TdN =
π
Следовательно, число столкновений в слое x с передачей энергии
T
e
T
e
max
будет:
.
12
)()(
max2
24
max
max
e
e
e
T
ee
T
xn
Vm
ze
TdNTN
e
==
π
Отсюда можно получить условие "толстого поглотителя":
.
2
max
2
24
ee
e
Txn
Vm
zе
>>
π
Если с электроном сталкивается тяжелая нерелятивистская частица, то
T
e
max
=2m
e
V
2
. Отсюда получаем, что слой x поглотителя толстый, если
.2
2
2
2
24
Vmxn
V
z
m
e
ee
e
>>
π
Если же в слое x произошло мало столкновений с большой
передачей энергии электронам N(>T
e
max
) << 1, тo такой слой будем
называть тонким. Этому понятие соответствует соотношение
.
2
max
2
24
ee
e
Txn
Vm
ze
<<
π
                                         ], г д е
                 1          (∆E − ∆E ) 2
p(∆E ) =            ⋅ exp[−
                2πD            2D

                   ⋅ ∆x - средние потери энергии в слое ∆x, а          D = 4πe4z2ne∆x -
                dE
      ∆E =
                dx
  дисперсия распределения. Распределение Гаусса симметрично, наиболее
  вероятные потери совпадают со средними потерями. Но на практике
  обычно используются тонкие поглотители.
      Поскольку характер энергетического распределения частиц,
  проходящих cлой ∆x, зависит от толщины этого слоя, то необходимо
  количественно определить понятия "толстый" и "тонкий" слой вещества.
  Назовем слой поглотителя толстым, если в нем происходит много актов
  столкновения с максимальной передаваемой энергией: N (> Temax) >>1. Но
  число столкновений на пути ∆x с передачей электрону энергии Те в
  интервале (Тe, Тe + dТe) было уже ранее найдено:

              2πe 4 z 2        dT
   dN (Te ) =       2
                        ⋅ ne ∆x 2e .
               meV             Te

       Следовательно, число столкновений в слое ∆x с передачей энергии
 Te ≥ Temax будет:


                          ∫ dN (Te ) =
                          ∞
                                         2πe 4 z 2              1
  N (≥ T     e
              max
                    )=                         2
                                                   ⋅ ne ⋅ ∆x ⋅ max .
                         Temax
                                          meV                 Te


             Отсюда можно получить условие "толстого поглотителя":

  2πе 4 z 2
        2
            ⋅ ne ∆x >> Temax .
   meV

             Если с электроном сталкивается тяжелая нерелятивистская частица, то
 Te   max
            =2meV2. Отсюда получаем, что слой ∆x поглотителя толстый, если

  2πe 4 z 2
       ⋅ 2 ⋅ ne ⋅ ∆x >> 2meV 2 .
   me V

      Если же в слое ∆x произошло мало столкновений с большой
 передачей энергии электронам     N(>Temax) << 1, тo такой слой будем
 называть тонким. Этому понятие соответствует соотношение

 2πe 4 z 2
           ⋅ ne ∆x << Temax .
  meV 2


                                                          - 33 -