Численные методы моделирования свойств нанокристаллов. Нагорнов Ю.С. - 7 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

- Внешняя область IIb – диэлектрическая сплошная среда,

моделирующая упругую деформацию реального кристалла при

образовании дефекта в области I.

В области I силы, действующие между ионами, рассчитываются

точно, как производные рассмотренных выше потенциалов взаимодействия,

а смещения определяются в соответствии с этими силами (в зависимости от

задачи). Также точно рассчитываются силы взаимодействия ионов из

области IIa c ионами области I. Смещения ионов в области IIa

рассчитываются с помощью процедуры Мотта-Литтлетона /3/. В области I

учитывается поляризация ионов, посредством оболочечной модели.

IIa

Дефект

Рис. 1.1. Граничные условия Мотта-Литтлетона.

3. Периодические граничные условия (ПГУ).

Если в некотором из направлений по характеру задачи имеется

период полной идентичности, то целесообразно выбрать размер расчетной

ячейки в этом направлении равным периоду идентичности.

Последнее позволяет имитировать бесконечно протяженный

кристалл в рассматриваемом направлении.

Такие периодические условия являются в известном смысле

точными, а не приближенными, в той степени, в какой соблюдается полная

идентичность.

Размеры периода в выбранном направлении в этом случае должны

быть достаточно большими, чтобы обеспечить статичность и пренебречь

взаимодействием дефектов в соседних периодических областях.

4. Нулевые граничные условия.

При расчетах использовались именно нулевые граничные условия,

поскольку только в них можно изучать поведение частиц нанокристаллита

на поверхности кристалла. Моделируемый кристаллит представляет собой

кусок кристалла с требуемой структурой, помещенный в вакуум. Никакие

атомы кристаллита не фиксируются. Система частиц, составляющих

кристаллит, является замкнутой системой.