Способы исследования поверхности методами атомно-силовой и электронной микроскопии. Нагорнов Ю.С - 50 стр.

UptoLike

50
и твёрдой фазы, то он сохранит сферический габитус и в процессе
дальнейшей эволюции конечный габитус малой частицы с пентагональной
симметрией будет также сферическим.
Именно такое влияние условий теплообмена и было выявлено при
исследовании морфологии габитуса малых частиц с пентагональной
симметрией. На рис. 2.4 представлены звёздчатые многогранники с
пентагональной симметрией, сформировавшиеся из икосаэдрических
кластеров при электрокристаллизации меди и имеющие полусферический
(рис. 2.4 a) или сферический габитус (рис. 2.4 б) как результат различной
степени перегрева островков роста на начальных стадиях эволюции
пентагональных кристаллов [11].
а)
б)
Рис. 2.4
.
Сферический (а) и полусферический (б) габитус звёздчатых многогранников
с пентагональной симметрией, сформировавшихся из икосаэдрических кластеров при
электрокристаллизации меди (электронный пучок падает под некоторым углом к
подложке).
Стоит отметить, что различие между сферическим и
полусферическим габитусом было бы возможно выявить лишь в случае,
когда электронный пучок падает на исследуемую поверхность под
некоторым углом к подложке с электроосаждёнными кристаллами
(фактически наблюдается эффект перспективы). Если же электронный
пучок сканирует подложку перпендикулярно к её поверхности, то