Оптические методы в информатике. Наний О.Е - 19 стр.

                                19




    Рис.2.2. Энергетические зоны полупроводников разного типа при T
= 0: а) Собственный полупроводник; б) Вырожденный полупроводник
n-типа; в) Вырожденный полупроводник p-типа; г) Дважды
вырожденный полупроводник.

   Неравновесное состояние может быть создано, например, с
помощью оптической накачки. Частота накачки 2 должна в этом
случае удовлетворять условию:
       Eg
2 >        .                                              (2.11)
       
Поглотившие квант 2 электроны будут переходить из валентной
зоны в зону проводимости. Электроны, попавшие в зону
проводимости, и дырки, образовавшиеся в валентной зоне, будут
стремиться “спуститься” ко дну или “подняться” к вершине
соответствующих зон с характерным для этих процессов временем
релаксации    10-13 с. Положения верхней границы состояний,
заполненных электронами в зоне проводимости (квазиуровень