Оптические методы в информатике. Наний О.Е - 20 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

20
Ферми
)
c
F
E
и нижней границы дырок в валентной зоне
)(
v
F
E
зависят от
интенсивности накачки, и для возникновения этих квазиуровней она
должна быть достаточно сильной. С ее ростом разность
c
F
E
-
v
F
E
увеличивается. Другой способ создания дважды вырожденных
полупроводников – инжекция неосновных носителей, который будет
рассмотрен ниже.
Рис.2.3. Схема
энергетических зон
полупроводника с
проводимостью
собственного типа.
Эффективные массы
носителей
одинаковы. Справа
показан вид функции
распределения
Ферми-Дирака
На рис. 2.3 приведена схема энергетических зон полупроводника с
проводимостью собственного типа. В случае, который изображен на
рисунке, абсолютные величины эффективных масс обоих видов
носителей одинаковы
(
e
m
=
),
h
m
уровень Ферми (он же химический
потенциал) расположен точно посередине между валентной зоной и
зоной проводимости, и его положение при изменении температуры не
меняется. Если
e
m
,
h
m
то при изменении температуры
положение химического потенциала (или “уровня Ферми”) будет
меняться. Однако в большинстве собственных полупроводников при
обычных температурах отклонение его положения от середины
запрещенной зоны невелико.
Поглощение света полупроводниками при межзонных переходах
В рамках теории возмущений квантовой механики можно
рассчитать оптическую восприимчивость полупроводника межзонных
переходах а также вероятности переходов с поглощением фотонов и 
                                  20



Ферми EFc ) и нижней границы дырок в валентной зоне ( EFv ) зависят от
интенсивности накачки, и для возникновения этих квазиуровней она
должна быть достаточно сильной. С ее ростом разность E Fc -
 E Fv увеличивается. Другой способ создания дважды вырожденных
полупроводников – инжекция неосновных носителей, который будет
рассмотрен ниже.



                                                   Рис.2.3. Схема
                                                энергетических зон
                                                полупроводника с
                                                проводимостью
                                                собственного типа.
                                                Эффективные массы
                                                носителей
                                                одинаковы. Справа
                                                показан вид функции
                                                распределения
                                                Ферми-Дирака




   На рис. 2.3 приведена схема энергетических зон полупроводника с
проводимостью собственного типа. В случае, который изображен на
рисунке, абсолютные величины эффективных масс обоих видов
носителей одинаковы ( me = mh ), уровень Ферми (он же химический
потенциал) расположен точно посередине между валентной зоной и
зоной проводимости, и его положение при изменении температуры не
меняется. Если me  mh , то       при    изменении   температуры
положение химического потенциала (или “уровня Ферми”) будет
меняться. Однако в большинстве собственных полупроводников при
обычных температурах отклонение его положения от середины
запрещенной зоны невелико.

Поглощение света полупроводниками при межзонных переходах
   В рамках теории возмущений квантовой механики можно
рассчитать оптическую восприимчивость полупроводника межзонных
переходах а также вероятности переходов с поглощением фотонов и

Страницы