Послойное исследование элементного и химического состава приповерхностных слоев твердых тел. Никитенков Н.Н. - 23 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

23
электродов и напряжѐнностью электрического поля. Однородность
эмиссии ионов по всей поверхности необходима потому, что граница
плазмы не является «жѐсткой» (в отличие от поверхности катода в
электронных системах), а изменяет своѐ положение и кривизну
поверхности (т. н. мениск) при изменении концентрации плазмы или
напряжѐнности ускоряющего электрического поля.
Примером широко распространѐнного плазменного ИИ является
дуоплазматрон, в котором для увеличения степени ионизации столб
разряда подвергается механическому и магнитному сжатию с помощью
диафрагм и магнитного поля, нарастающего к анодному отверстию
малого диаметра. Сжатие разрядной дуги в узком канале
промежуточного электрода 2 (рис. 1) сопровождается возникновением
плазменного «пузыря» со скачком потенциала в слое, отделяющем
катодную плазму I от более плотной анодной плазмы II. Слой III
ускоряет и фокусирует электроны, выходящие из плазмы I в плазму II.
Вблизи анода 4 плотная плазма ещѐ сжимается сильным неоднородным
магнитным полем, сечение плазмы вблизи выходного отверстия
уменьшается, а концентрация возрастает до 10
14
–10
15
см
-3
. Такая плазма
эмитирует ионы с плотностью в десятки А/см
2
, т. е. образуется
«точечный» эмиттер. Однако ИОС не способна формировать пучок с
такими плотностями тока и потребовалось создание расширителя
плазмы за анодным отверстием и дополнительной камеры с
антикатодом. Это позволило получить разряд с осциллирующими
электронами и создать плазменный эмиттер с большой поверхностью и
умеренной плотностью тока. Использование многоапертурной ИОС
Рис. 1. Схема дуоплазматрона: 1 – катод; 2 –
промежуточный электрод; 3 – катушка
электромагнита; 4 – анод; 5 – экстрактор;
I – катодная плазма; II – анодная плазма;
III – двойной слой, ускоряющий и
фокусирующий электроны.

Страницы