Взаимодействие космических аппаратов с окружающей плазмой. Новиков Л.С. - 45 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

45
интенсивности светового потока может нарушаться, т.е. нарушается
закон Столетова. Возможно также нарушение закона Эйнштейна из-за
возникновения многофотонной фотоэлектронной эмиссии, обуслов-
ленной поглощением одним электроном нескольких фотонов. При ос-
вещении материалов солнечным излучением такие процессы имеют
малую вероятность.
Основной характеристикой внешнего фотоэффекта является спек-
тральная зависимость квантового выхода
зависимость числа эмити-
руемых фотоэлектронов, приходящихся на один фотон, от энергии фо-
тонов (или от длины волны). На рис. 16 в качестве примера показана
такая спектральная зависимость квантового выхода для окиси индия.
В задачах анализа электризации КА удобнее использовать инте-
гральный параметр: плотность тока фотоэлектронной эмиссии J
ph
, кото-
рая определяется с учетом распределения энергии в спектре солнечного
излучения. Для большинства материалов, используемых на внешней
поверхности КА, этот параметр лежит в пределах (1-5)10
-9
Асм
-2
.
Рис. 14. Квантовый выход для
окиси индия In
2
O
3
(1) и для
кварца, покрытого углеродной
пленкой (2)
Энергетические спектры фотоэлектронов обычно имеют максимум в
области 1-2 эВ и верхнюю границу около 10-15 эВ. С увеличением
интенсивности светового потока может нарушаться, т.е. нарушается
закон Столетова. Возможно также нарушение закона Эйнштейна из-за
возникновения многофотонной фотоэлектронной эмиссии, обуслов-
ленной поглощением одним электроном нескольких фотонов. При ос-
вещении материалов солнечным излучением такие процессы имеют
малую вероятность.
   Основной характеристикой внешнего фотоэффекта является спек-
тральная зависимость квантового выхода – зависимость числа эмити-
руемых фотоэлектронов, приходящихся на один фотон, от энергии фо-
тонов (или от длины волны). На рис. 16 в качестве примера показана
такая спектральная зависимость квантового выхода для окиси индия.
   В задачах анализа электризации КА удобнее использовать инте-
гральный параметр: плотность тока фотоэлектронной эмиссии Jph, кото-
рая определяется с учетом распределения энергии в спектре солнечного
излучения. Для большинства материалов, используемых на внешней
поверхности КА, этот параметр лежит в пределах (1-5)⋅10-9 А⋅см-2.




                                          Рис. 14. Квантовый выход для
                                          окиси индия In2O3 (1) и для
                                          кварца, покрытого углеродной
                                          пленкой (2)




   Энергетические спектры фотоэлектронов обычно имеют максимум в
области 1-2 эВ и верхнюю границу около 10-15 эВ. С увеличением


                                    45