Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 115 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

115
избыточная объемная и поверхностная энергия соответственно), с
учетом (5.43) дает окончательное выражение для изобарного
потенциала образования трехмерного зародыша (нижний индекс 3)
.4
3
4
12
2
3
3
rg
r
G
v
(5.48)
Из условия
0/
*
3
rr
rdGd
находим радиус кривизны
критического зародыша
v
g
r
12
*
3
2
. (5.49)
Тогда работа его образования G
3
* вычисляется путем
подстановки (5.49) в выражение (5.48):
*
3
2
3
12
*
3
2
1
3
16
Vg
g
G
v
v

, (5.50)
где с учетом (5.46) введен объем куполообразного зародыша
критических размеров
3*
3
*
3
4 r
V
. (5.51)
Из формул (5.49) и (5.50) видно, что с увеличением удельного
пересыщения g
V
уменьшается как размер критического зародыша,
так и работа его образования. Условия взаимодействия подложки и
зародышевой фазы, характеризуемые краевым углом , не влияют на
критический радиус r
3
*, но существенно воздействуют на величину
Gз* через функцию Ф().
Вероятность флуктуационного возникновения критических
зародышей на адсорбционных центрах описывается больцмановской
формулой
Tk
G
ww
B
exp
0
, (5.52)
поэтому их концентрация равняется
Tk
G
NN
B
Ci
exp
, (5.53)

Страницы