ВУЗ:
Составители:
117
1212
nn
(5.56)
В этом случае энергия натяжения на единицу площади
разрастающейся пленки больше по отношению
12
позволяющей
зародышам формироваться на первоначальных слоях. Переход от
двухразмерного к объемному росту, что происходит обычно после
появления 5-6 монослоев, окончательно не понят; причиной может
быть некоторый фактор, который нарушает монотонное уменьшение
энергии связи, характеризующей рост слоя. Например, из-за плохого
сочетания пленка-подложка, энергия деформации накапливается в
растущей пленке. При ее освобождении высокое значение энергии
осажденного промежуточного слоя – границы раздела может
инициировать образование островков.
5.11 Морфология тонких слоев
Обращаясь к энергии (G
S
) натяжения (свободной)
полуколичественно можно заметить, что теория пластичности
предполагает
2
2
1
YG
S
, где Y – модуль упругости слоя и – его
деформация. В значительной мере на границе раздела пленка-
подложка является решеточным несовпадением деформации или
проще несоответствие параметров (кристаллической решетки) f,
определяемый как
)(a)(a)(a ffsf
000
, где a
0
– параметр
решетки, а f и s относятся к пленке и подложке, соответственно.
Роль f очень важна в эпитаксии.
Прежде чем рассмотреть проблемы нарушения эпитаксии из-
за образования дислокаций, рассмотрим критическую толщину
покрытия, выше которой шероховатость (зернистость) поверхности
увеличивается из-за роста островков. Это порождает
морфологическую нестабильность, которая может быть описана в
рамках макроскопической теории гетерогенного
зародышеобразования.
Следуя [29], изменение полной свободной энергии
зародышеобразования полусферического островка (не купола) на
поверхности роста деформированного эпитаксильного слоя толщиной
h дается уравнением
SVS
GrG
r
G
2
3
3
2
(5.57)
В этом процессе островок предполагается рыхлым (или
ненапряженным) в то время как эпислой частично релаксирует. G
V
,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 115
- 116
- 117
- 118
- 119
- …
- следующая ›
- последняя »
