Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 119 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

119
слоя. Механизм роста S-K находится между механизмами
островкового и послойного роста и конкурирует с ними.
5.12 Зависимость зародышеобразования от температуры
подложки и скорости осаждения
Температура подложки и скорость осаждения
R
(атом/см
2
-с)
находятся среди основных параметров влияющих на процесс
осаждения. Расчет их влияния на
r*
и
G*
поучителен и довольно
прост. Предположим, что
R
пропорционален
P
v
в уравнении
5.38
так, что
e
B
V
R
R
Tk
G
ln
, (5.60)
где
e
R
- равновесная интенсивность испарения из островков пленки
при данной температуре подложки. Предполагая инертную подложку,
т.е.
fv
=
fs
, прямое дифференцирование уравнения для критического
размера зародыша
V3
sv2fs2fv1
3
2
Ga
aaa
r
приводит [31] к
2
V3
fvV21Vfv
3
2
Ga
TGaaTG
T
r
R
. (5.61)
Предполагая типичные величины
fv
= 1 Дж/м
2
и
КмДж/м05.0
2
fv
T
. Оценка
TG
V
является изменением
энтропии в результате испарения, имеющая величину порядка
810
6
Дж/м
3
-K для многих металлов. До тех пор, пока
|G
V
| << 810
6
Дж/м
3
, прямая подстановка показывает, что
. (5.62)
Аналогично используя подобные предположения и аргументы
0
R
TG
. (5.63)
Также легко показать, что
0
T
Rr
. (5.64)

Страницы