Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 121 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

121
Несмотря на качественную полезность теории капиллярности,
она далека от количественной корректности. Например, оценим
величину r* для типичного металла при 300 К. Для упрощения,
будет использоваться формула гомогенного зародышеобразования
V
Gr
2
, где
SVBV
PPTkG ln
. Предполагая = 2010
-30
/м
3
,
= 1 Дж/м
2
, P
V
= 10
-3
Торр и P
S
= 10
-30
Торр, тогда r*= 0.6 нм.
Ядра таких размеров содержат очень небольшое количество
атомов, поэтому весьма сомнительно использование таких понятий,
как поверхностное натяжение и радиус зародыша, которые
характерны для сплошных сред. Более реалистично интерпретировать
явление конденсации из пара на основе теории гетерогенного
зародышеобразования основанной на атомных представлениях. Это
является одним из вопросов, которые рассматриваются далее.
5.13 Кинетические процессы в зародышеобразовании и росте
Вопросы, рассматриваемые в настоящем разделе следующие:
1. Как определяется скорость зародышеобразования и как она зависит
от времени, температуры, скорости осаждения и природы пленки и
подложки?
2. Каковы возможные механизмы последовательного роста и
коалесценции зародышей?
3. Какова зависимость от времени роста и коалесценции зародышей? В
частности, различия между макроскопическим (т.е. капиллярным) и
Рис. 5.18 Влияние микроструктуры на скорость осаждения и
температуру подложки для пленки из меди (Cu) на плоскости (111)
NaCl. Для некоторых подложек температура отмечена на рисунке
[31].

Страницы