Материаловедение поверхности и тонких пленок. Пичугин В.Ф. - 116 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

116
где
2
0
1 aN
C
- плотность адсорбционных центров на поверхности
подложки, расположенных на расстоянии а
0
друг от друга
(N
C
≈ 10
15
см
-2
).
5.10 Механизмы роста пленки
Уравнение Юнга (5.43) показывает возможность лучшего
понимания трех механизмов роста пленки, показанных на рисунке
5.8. Для островкового роста, > 0, и тогда
1212
nn
. (5.54)
Если
1n
мало, это уравнение показывает, рост островков
будет иметь место тогда, когда поверхностное натяжение пленки
превышает поверхностное натяжение подложки. Поэтому
осаждаемые металлы стремятся формировать кластеры на
керамических или полупроводниковых подложках.
В случае, когда осаждаемый слой «смачивает» подложку 0.
Следовательно,
1212
nn
(5.55)
особый случай в этих условиях - идеальная гомо- или «авто-
эпитаксия». Так как граница раздела между пленкой и подложкой
практически исчезает
1n
= 0. Эпитаксиальная пленка высокого
качества требует отсутствия каких-либо отклонений в росте слоя.
Сверхрешетка состоящая из чередующихся А и В
эпитаксиальных пленок расположенных послойно представляет
определенное противоречие в этом отношении. Последовательное
осаждение означает, что А осажденный на пленку-подложку В
следует за В осажденном на пленке-подложке А. Эта асимметрия в
расположении часто не является проблемой, когда А и В –
гетероэпитаксиальные сложные полупроводники;
высокоэффективные лазеры могут быть созданы подобным образом.
Несмотря на то, что здесь поверхностные энергии приблизительно
равные, это отличается от сверхрешеток, типа метал-метал или
металл-полупроводник. В общем случае материалы с низкой
поверхностной энергией будут смачивать подложки с высокой
поверхностной энергией. Так Франклин наблюдал, что небольшое
количества масла сглаживает неровности большой водной
поверхности. В этом случае очень тонкая пленка масла существенно
меняет свойства поверхности воды. Наконец, для S-K роста, в начале,
по меньшей мере

Страницы